[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201280047712.8 | 申请日: | 2012-05-23 |
公开(公告)号: | CN103828067B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 沈洺奭 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人: | 许向彤,陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
技术领域
实施例涉及一种太阳能电池及其制造方法。更具体地讲,实施例涉及一种具有改善的效率的太阳能电池及其制造方法。
背景技术
通常,太阳能电池将太阳能转换成电能。最近,随着能源消耗的增大,已经广泛商业化使用太阳能电池。
太阳能电池可以通过以下方式形成:将背电极层、光吸收层和透明电极层层压在透明玻璃基板上,使得背电极层可以电性连接到透明电极层上。
然而,当背电极层连接到透明电极层上时,背电极层和透明电极层之间的接触电阻增大,从而降低了太阳能电池的效率。
发明内容
技术问题
实施例提供了一种太阳能电池及其制造方法,所述太阳能电池能减小背电极层与透明电极层之间的接触电阻。
技术方案
根据实施例,提供了一种太阳能电池,所述太阳能电池包括:基板;在所述基板上的背电极层;在所述背电极层上的光吸收层;以及在所述光吸收层与所述透明电极层之间的杂质掺杂层。
根据实施例,提供了一种太阳能电池的制造方法,所述方法包括以下步骤:制备基板;在所述基板上形成背电极层;在所述背电极层上形成光吸收层;在所述光吸收层上形成杂质掺杂层;以及在所述杂质掺杂层上形成透明电极层。
有益效果
根据实施例,可以在透明电极层的下部形成杂质掺杂层以增大电子收集效率,从而改善太阳能电池的电流特性。
另外,根据实施例,通过使杂质掺杂层的杂质掺杂量大于透明电极层的杂质掺杂量可以减小背电极层与透明电极层之间的接触电阻。
此外,根据实施例,通过使杂质掺杂层的杂质掺杂量大于透明电极层的杂质掺杂量可以减小背电极与透明电极层之间的接触电阻。
附图说明
图1是示出了根据实施例的太阳能电池的剖视图。
图2是示出了根据实施例的太阳能电池的修改实例的剖视图。
图3至图8是示出了根据实施例的太阳能电池的制造方法的剖视图。
具体实施方式
以下将参照附图更加详细地描述实施例。
图1是示出了根据实施例的太阳能电池的剖视图,并且图2是示出了根据实施例的太阳能电池的修改实例的剖视图。
参见图1,根据实施例的太阳能电池包括基板100、在基板100上的背电极层200、在背电极层200上的光吸收层300、在光吸收层300上的第一缓冲层400和第二缓冲层500、在第二缓冲层500上的透明电极层600以及在光吸收层300与透明电极层600之间的杂质掺杂层700。
基板100可以具有平板形状并且包括透明玻璃材料。
基板100可以是刚性的或柔性的。除玻璃基板外,可以使用塑料基板或金属基板作为基板100。另外,具有钠成分的钠钙玻璃基板可以用作基板100。
背电极层200可以形成在基板100上。
背电极层200可以包括钼(Mo)。背电极层200可以包括金属,例如除钼(Mo)之外的铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、银(Ag)或金(Au),或者透明导电氧化物(TCO)薄膜,例如铟锡氧化物(ITO)、氧化锌(ZnO)、或SnO2。
背电极层200可以形成为使用同种或异种金属来提供至少两层。
光吸收层300可以形成在背电极层200上。
光吸收层300可以具有I-III-VI族化合物。例如,光吸收层300可以具有CIGSS(Cu(IN,Ga)Se2)晶体结构、CISS(Cu(IN)(Se,S)2)晶体结构或CGSS(Cu(Ga)(Se,S)2)晶体结构。
第一缓冲层400可以形成在光吸收层300上。
第一缓冲层400在光吸收层300上与光吸收层300直接接触,并且起到使光吸收层300与以下描述的透明电极层600之间的能带隙衰减的作用。
第一缓冲层400可以通过使用包含硫化镉(CdS)的材料来形成,并且可以具有与背电极层200和透明电极层600之间的中间能带隙相对应的能带隙。
第二缓冲层500可以形成在第一缓冲层400上。
第二缓冲层500是高电阻缓冲层并且可以包括具有高透光率和电导率的氧化锌(ZnO)。
第二缓冲层500可以防止与透明电极层600发生绝缘并且使冲击损害减小。
根据实施例的杂质掺杂层700和透明电极层600可以依次形成在第二缓冲层500上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的