[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

基板；

在所述基板上的背电极层；

在所述背电极层上的光吸收层；

在所述光吸收层上的缓冲层；

杂质掺杂层，所述杂质掺杂层形成包括在所述缓冲层上的第一杂质掺杂层和在所述第一杂质掺杂层上的第二杂质掺杂层的多层结构；以及

设置在所述第二杂质掺杂层上的透明电极层，

其中，所述光吸收层和所述缓冲层形成图案线，

其中，所述图案线的内部填充有所述第一杂质掺杂层和在所述第一杂质掺杂层上的所述第二杂质掺杂层，

其中，所述第二杂质掺杂层比所述第一杂质掺杂层更接近所述透明电极层，并且所述第二杂质掺杂层的掺杂量小于所述第一杂质掺杂层的掺杂量。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述杂质掺杂层包括选自由铝(Al)、硼(B)、镓(Ga)和铟(In)组成的组中的一种。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述透明电极层和所述杂质掺杂层的厚度在100nm至2000nm的范围内。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述杂质掺杂层的掺杂量大于所述透明电极层的掺杂量。

5.一种太阳能电池的制造方法，所述方法包括：

制备基板；

在所述基板上形成背电极层；

在所述背电极层上形成光吸收层；

在所述光吸收层上形成缓冲层；

形成穿过所述光吸收层和所述缓冲层的图案线；

在所述缓冲层上形成杂质掺杂层；以及

在所述杂质掺杂层上形成透明电极层，

其中，所述杂质掺杂层形成包括第一杂质掺杂层和第二杂质掺杂层的多层结构，

其中，所述图案线的内部填充所述第一杂质掺杂层和在所述第一杂质掺杂层上的所述第二杂质掺杂层，

其中，所述第二杂质掺杂层比所述第一杂质掺杂层更接近所述透明电极层，并且所述第二杂质掺杂层的掺杂量小于所述第一杂质掺杂层的掺杂量。

6.如权利要求5所述的方法，其中，在形成所述杂质掺杂层期间，所述杂质掺杂层是通过沉积选自由铝(Al)、硼(B)、镓(Ga)和铟(In)组成的组中的一种而形成的。

7.如权利要求5所述的方法，其中，所述透明电极层和所述杂质掺杂层的厚度在100nm至2000nm的范围内。