[发明专利]电子设备用铜合金、电子设备用铜合金的制造方法、电子设备用铜合金轧材及电子设备用组件有效
申请号: | 201280047170.4 | 申请日: | 2012-10-26 |
公开(公告)号: | CN103842551A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 牧一诚;伊藤优树 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | C22F1/08 | 分类号: | C22F1/08;C22C9/00;H01B5/02;H01B13/00;C22F1/00 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;宋志强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 备用 铜合金 制造 方法 组件 | ||
技术领域
本发明涉及一种适合于例如端子、连接器、继电器及引线框架等电子设备用组件的电子设备用铜合金、电子设备用铜合金的制造方法、电子设备用铜合金轧材及电子设备用组件。
本申请基于2011年10月28日在日本申请的日本专利申请第2011-237800号主张优先权,将其内容援用于本说明书中。
背景技术
以往,随着电子设备和电气设备等的小型化,谋求用于这些电子设备和电气设备等的端子、连接器、继电器及引线框架等电子设备用组件的小型化及薄壁化。因此,作为构成电子设备用组件的材料,要求弹性、强度、导电率优异的铜合金。尤其,如在非专利文献1中所记载,作为用作端子、连接器、继电器及引线框架等电子设备用组件的铜合金,优选屈服强度较高且拉伸弹性模量较低的铜合金。
其中,作为用作端子、连接器、继电器及引线框架等电子设备用组件的铜合金,例如如专利文献1所示,广泛使用含有Sn和P的磷青铜。
并且,例如在专利文献2中提供有Cu-Ni-Si合金(所谓科森铜镍硅合金)。该科森铜镍硅合金为使Ni2Si析出物分散的析出固化型合金,其具有比较高的导电率、强度及耐应力松弛特性。因此,多用作汽车用端子和信号系统小型端子用途,近年来,积极地进行着开发。
另外,作为其他合金,开发出非专利文献2中所记载的Cu-Mg合金、及专利文献3中所记载的Cu-Mg-Zn-B合金等。
专利文献1:日本特开平01-107943号公报
专利文献2:日本特开平11-036055号公报
专利文献3:日本特开平07-018354号公报
非专利文献1:野村幸矢、「コネクタ用高性能銅合金条の技術動向と当社の開発戦略」、神戸製鋼技報(野村幸矢,《连接器用高性能铜合金条的技术动向与本公司的开发战略》,神户制钢技报)Vol.54No.1(2004)p.2~8
非专利文献2:掘茂徳、他2名、「Cu-Mg合金における粒界型析出」、伸銅技術研究会誌(掘茂德等3人,《Cu-Mg合金中的晶界型析出》,伸铜技术研究会杂志)Vol.19(1980)p.115~124
然而,专利文献1中所记载的磷青铜中,高温中的应力松弛率存在升高的倾向。其中,在插片上推雌型端子的弹簧接触部而被插入的结构的连接器中,若高温中的应力松弛率较高,则有可能在高温环境下的使用中引起接触压力下降,并产生通电不良。因此,无法在汽车的发动机室周边等高温环境下使用。
并且,专利文献2中所公开的科森铜镍硅合金中,拉伸弹性模量为相对较高的125~135Gpa。其中,在具有插片上推雌型端子的弹簧接触部而被插入的结构的连接器中,若构成连接器的材料的拉伸弹性模量较高,则有可能因插入时的接触压力急剧变动,进而容易超过弹性界限而塑性变形,因此不优选。
另外,非专利文献2及专利文献3中所记载的Cu-Mg合金中,与科森铜镍硅合金同样地使金属间化合物析出,因此存在拉伸弹性模量较高的倾向,如上述作为连接器并不优选。
并且,在Cu-Mg合金中,母相中分散有很多粗大的金属间化合物,因此在弯曲加工时这些金属间化合物易成为起点而产生裂纹等,因此存在无法成型形状复杂的电子设备用组件的问题。
发明内容
该发明是鉴于上述事实而完成的,其目的在于提供一种具有低拉伸弹性模量、高屈服强度、高导电性、优异的耐应力松弛特性及优异的弯曲加工性,且适合于端子、连接器、继电器及引线框架等电子设备用组件的电子设备用铜合金、电子设备用铜合金的制造方法、电子设备用铜合金的轧材及电子设备组件。
为了解决该课题,本发明的发明人进行深入研究的结果得到以下见解:在通过将Cu-Mg合金在固溶化之后进行骤冷而制作出的Cu-Mg过饱和固溶体的加工固化型铜合金中,显示出低拉伸弹性模量、高屈服强度、高导电性及优异的弯曲加工性。并且,通过对由该Cu-Mg过饱和固溶体构成的铜合金在精加工后实施适当的热处理,能够提高其耐应力松弛特性。
本发明是基于上述见解而完成的,其中,本发明的电子设备用铜合金由Cu和Mg的二元合金构成,且以3.3原子%以上且6.9原子%以下的范围含有Mg,并且剩余部分实际上由Cu及不可避免的杂质构成,将Mg的浓度设为X原子%时,导电率σ(%IACS)在σ≤{1.7241/(-0.0347×X2+0.6569×X+1.7)}×100的范围内,并且应力松弛率在150℃下经过1000小时时为50%以下。
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