[发明专利]电子部件用金属材料及其制备方法

权利要求书

1. 一种具有低晶须性和高耐久性的电子部件用金属材料，其具备：

基材，

构成所述基材的最表层，由Sn、In或它们的合金形成的A层，和

设置于所述基材与A层之间，构成中间层，由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或它们的合金形成的B层，

所述最表层(A层)的厚度为0.002~0.2μm，

所述中间层(B层)的厚度为0.001~0.3μm。

2. 一种具有低晶须性和高耐久性的电子部件用金属材料，其具备

基材，

构成所述基材的最表层，由Sn、In或它们的合金形成的A层，和

设置于所述基材与A层之间，构成中间层，由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或它们的合金形成的B层，

所述最表层(A层)的Sn、In的附着量为1~150μg/cm²，

所述中间层(B层)的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir的附着量为1~330μg/cm²。

3. 权利要求1或2的电子部件用金属材料，其中，所述最表层(A层)的合金组成为：Sn、In或Sn与In的合计为50质量%以上，剩余合金成分由选自Ag、As、Au、Bi、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、W、Zn的1种或2种以上的金属构成。

4. 权利要求1~3中任一项的电子部件用金属材料，其中，所述中间层(B层)的合金组成为：Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或者Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os和Ir的合计为50质量%以上，剩余合金成分由选自Bi、Cd、Co、Cu、Fe、In、Mn、Mo、Ni、Pb、Sb、Se、Sn、W、Tl、Zn的1种或2种以上的金属构成。

5. 权利要求1~4中任一项的电子部件用金属材料，其中，所述最表层(A层)表面的维氏硬度为Hv300以上。

6. 权利要求1~5中任一项的电子部件用金属材料，其中，作为通过超微硬度试验以0.1mN的负荷对所述最表层(A层)的表面压入压头而测得的硬度，所述最表层(A层)表面的压痕硬度为2500MPa以上。

7. 权利要求1~6中任一项的电子部件用金属材料，其中，所述最表层(A层)表面的维氏硬度为Hv1000以下，具有高弯曲加工性。

8. 权利要求1~7中任一项的电子部件用金属材料，其中，作为通过超微硬度试验以0.1mN的负荷对所述最表层(A层)的表面压入压头而测定的硬度，所述最表层(A层)表面的压痕硬度为10000MPa以下，具有高弯曲加工性。

9. 权利要求1~8中任一项的电子部件用金属材料，其中，所述最表层(A层)表面的算术平均高度(Ra)为0.1μm以下，耐气体腐蚀性更优异。

10. 权利要求1~9中任一项的电子部件用金属材料，其中，所述最表层(A层)表面的最大高度(Rz)为1μm以下，耐气体腐蚀性更优异。

11. 权利要求1~10中任一项的电子部件用金属材料，其中，所述最表层(A层)表面的反射密度为0.3以上，耐气体腐蚀性更优异。

12. 权利要求1~11中任一项的电子部件用金属材料，其中，当通过XPS (X射线光电子光谱法)进行Depth分析时，所述最表层(A层)的Sn或In的原子浓度(at%)示出最高值的位置(D₁)，所述中间层(B层)的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir的原子浓度(at%)示出最高值的位置(D₂)自最表面起按D₁、D₂的顺序存在。

13. 权利要求1~12中任一项的电子部件用金属材料，其中，当通过XPS (X射线光电子光谱法)进行Depth分析时，所述最表层(A层)的Sn或In的原子浓度(at%)的最高值为10at%以上。

14. 权利要求1~13中任一项的电子部件用金属材料，其中，当通过XPS (X射线光电子光谱法)进行Depth分析时，所述中间层(B层)的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir的原子浓度(at%)的最高值为10at%以上。