[发明专利]用于非易失性存储器的片上动态读取

权利要求书

1.一种操作非易失性存储器的方法，包括：

在第一读取电平集合处读取存储器裸片上的非易失性存储元件组（802），所述非易失性存储元件组存储多个数据状态；

在所述存储器裸片上存储所述读取电平的两个最新结果（804）；

确定在两个最新读取电平的读取之间在所述组中有多少被示出不同结果的非易失性存储元件的计数，使用所述存储器裸片上存储的所述结果来在所述存储器裸片上执行所述确定（806）；并且

基于当所述计数达到预定标准时的读取电平来建立用于区别所述多个数据状态中的第一相邻数据状态对的动态读取电平（808）。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非易失性存储元件组的一部分存储错误校正码，达到预定标准的所述计数包括低于阈值的计数，其中，所述阈值与能够通过使用所述错误校正码来施加错误校正以校正的水平对应。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一读取电平集合中的第一读取电平为默认读取电平，并且所述第一读取电平集合中的第二读取电平位于以下方向，在该方向上期望所述非易失性存储元件组的阈值分布随着时间的推移而移动。

4.根据权利要求1至3中的任一项的方法，其中，所述非易失性存储元件组与第一字线相关联，并且还包括将所述第一动态读取电平用作用于区别与其它字线相关联的非易失性存储元件的所述第一相邻数据状态对的初始读取电平。

5.根据权利要求1至4中的任一项的方法，其中，所述读取电平彼此相差统一步长。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述动态读取电平为第一动态读取电平，并且还包括：

在彼此相差统一步长的第二读取电平集合处读取所述非易失性存储元件组；

在所述存储器裸片上存储第二读取电平集合的两个最新结果；并且

确定在所述第二集合中的两个最新读取电平的读取之间在所述组中有多少被示出不同结果的非易失性存储元件的计数，使用在所述存储器裸片上存储的所述结果来在所述存储器裸片上执行所述确定；并且

基于当所述计数达到预定标准时的读取电平来建立用于区别所述多个数据状态中的第二相邻数据状态对的第二动态读取电平。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

基于用于区别所述第一相邻数据状态对的第一动态读取电平来确定用于第二读取电平集合的初始读取电平。

8.根据权利要求1至4中的任一项的方法，其中，所述第一读取电平集合中的至少两个读取电平具有相同的大小。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，达到所述预定标准的所述计数包括达到最小值的所述计数。

10.根据权利要求1至9中的任一项的方法，其中，所述存储在每个所述读取电平处的读取的结果包括：在第一数据锁存器中存储从第一读取电平处读取的结果以及在第二数据锁存器中存储从第二读取电平处读取的结果，所述确定在两个最新读取电平的读取之间在所述组中有多少被示出不同结果的非易失性存储元件的计数包括：执行所述第一数据锁存器中的结果与所述第二数据锁存器中的结果的异或。

11.一种非易失性存储器设备，包括：

存储器裸片（212）；

在所述存储器裸片（212）上的非易失性存储元件组，所述非易失性存储元件组存储多个数据状态；

与所述非易失性存储元件组进行通信的一个或多个管理电路（220，230，242，244），所述一个或多个管理电路在第一读取电平集合处读取所述非易失性存储元件组，所述一个或多个管理电路在所述存储器裸片上存储所述读取电平的两个最新结果，所述一个或多个管理电路确定在两个最新读取电平的读取之间在所述组中有多少被示出不同结果的非易失性存储元件的计数，所述一个或多个管理电路使用在所述存储器裸片上存储的所述结果来确定在所述存储器裸片上的计数，所述一个或多个管理电路基于当所述计数达到预定标准时的所述读取电平来建立用于区别所述多个数据状态中的第一相邻数据状态对的所调节的读取电平。

12.根据权利要求11所述的非易失性存储器设备，其中，所述非易失性存储元件组中的一些非易失性存储元件存储错误校正码，所述一个或多个管理电路确定所述计数是否达到阈值，所述阈值与能够通过使用所述错误校正码来施加错误校正以校正的水平对应，以确定所述计数是否达到所述预定标准。