[发明专利]带碱金属阻挡层的玻璃基板及带透明导电性氧化物膜的玻璃基板无效
申请号: | 201280042971.1 | 申请日: | 2012-09-05 |
公开(公告)号: | CN103781737A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 林英明;箕轮明久;关淳志;东诚二;广松邦明;冈畑直树 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | C03C17/245 | 分类号: | C03C17/245;B32B9/04;B32B17/00;C03C17/34;C23C16/40;H01L31/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡烨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碱金属 阻挡 玻璃 透明 导电性 氧化物 | ||
技术领域
本发明涉及带碱金属阻挡层的玻璃基板以及使用该带碱金属阻挡层的玻璃基板的带透明导电性氧化物膜的玻璃基板。
背景技术
作为太阳能电池等光电转换元件或液晶显示器的制造中使用的玻璃基板,由于制造成本低廉,因此较好是钠钙硅酸盐玻璃等含有碱金属氧化物的含碱玻璃。
然而,在这些用途中使用含碱玻璃的情况下,为了使碱金属成分向形成于基板上的透明导电性氧化物膜中的扩散达到最小限度,需要在玻璃基板上形成氧化硅膜、氧化铝膜、氧化锆膜等碱金属阻挡层,在该碱金属阻挡层上形成透明导电性氧化物膜是非常必要的。
作为为了该目的而形成在玻璃基板上的碱金属阻挡层,有SiO2膜、SiO2和SnO2的混合氧化物膜、将SiO2膜和SnO2依次层叠而成的多层膜等(参照专利文献1)。
此外,专利文献2中记载,如果在玻璃基板上作为碱金属阻挡层形成的SiO2层和作为透明电极形成的SnO2层之间设置使其混合比在膜厚方向上发生变化的SiO2/SnO2混在层,则与透明电极层的粘附力增强,得到稳定的透明电极。但是,关于SiO2/SnO2混在层的碱金属阻挡性并未提及。
另外,专利文献2中,设置从SiO2层侧向透明电极侧使SnO2的含有率连续地或逐级地增加的SiO2/SnO2混在层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2009-140930号公报
专利文献2:日本专利第3291401号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
因此,通过使用SiO2和SnO2的混合氧化物膜作为形成于玻璃基板上的碱金属阻挡层、使该混合氧化物膜中的混合比在膜厚方向上发生变化,可期待得到碱金属阻挡性优异的碱金属阻挡层。
本发明的目的是提供碱金属阻挡性优异的带碱金属阻挡层的玻璃基板。
此外,本发明的目的是提供在带碱金属阻挡层的玻璃基板的碱金属阻挡层上形成有透明导电性氧化物膜的带透明导电性氧化物膜的玻璃基板。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明人为了达到上述目的进行了认真研究,结果发现,通过使SiO2和SnO2的混合氧化物膜中的混合比在膜厚方向上满足特定的关系,该混合氧化物膜的碱金属阻挡性提高。
本发明是基于上述发现而完成的发明,提供一种带碱金属阻挡层的玻璃基板,其是在玻璃基板上形成有碱金属阻挡层的带碱金属阻挡层的玻璃基板,其特征在于,
所述碱金属阻挡层由硅(Si)和锡(Sn)的混合氧化物构成,将所述碱金属阻挡层的膜厚设为L(nm)时,所述混合氧化物的硅(Si)和锡(Sn)的比例在膜厚方向上发生变化,锡(Sn)相对于所述混合氧化物中的硅(Si)和锡(Sn)的总和的摩尔比Sn/(Si+Sn)的极小值位于满足如下条件的位置:在所述碱金属阻挡层的膜厚方向上,与所述碱金属阻挡层的界面中的玻璃基板侧的界面的距离为0.2L~0.8L;
所述极小值是所述摩尔比的最大值的0.5倍以下。
本发明的带碱金属阻挡层的玻璃基板中,较好是所述极小值为0.1以下。
本发明的带碱金属阻挡层的玻璃基板中,较好是所述最大值为0.05以上0.7以下。
本发明的带碱金属阻挡层的玻璃基板中,较好是所述碱金属阻挡层的膜厚为2~50nm。
本发明的带碱金属阻挡层的玻璃基板中,较好是所述玻璃基板是含有碱金属氧化物的含碱玻璃。
本发明的带碱金属阻挡层的玻璃基板中,可以在所述玻璃基板和所述碱金属阻挡层之间设置有TiO2层或者由TiO2层和SiO2层层叠而成的多层膜。
本发明的带碱金属阻挡层的玻璃基板中,可以在所述玻璃基板和所述碱金属阻挡层之间或者在所述碱金属阻挡层的表面设置有SiO2层。
本发明的带碱金属阻挡层的玻璃基板中,可以在所述玻璃基板的形成所述碱金属阻挡层的面上形成有微细的凹凸。
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