[发明专利]太阳能电池元件及太阳能电池模块有效
| 申请号: | 201280037684.1 | 申请日: | 2012-07-26 |
| 公开(公告)号: | CN103718305A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
| 发明(设计)人: | 佐藤顺平;京田豪;小柏阳平;名合佑介 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 金相允;浦柏明 |
| 地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 元件 模块 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池元件及太阳能电池模块。
背景技术
在国际公布第2008/078741号及日本特表2002-500825号中,公开了一种背接触型太阳能电池元件。
这样的太阳能电池元件具有半导体基板、第一电极及第二电极,其中,半导体基板具有多个贯通孔。第一电极设置于半导体基板的受光面、贯通孔及背面的一部分。第二电极设置于半导体基板的背面的未配置第一电极的部位。
在背接触型太阳能电池元件中,极性不同的两个电极(第一电极及第二电极)配置于半导体基板的背面。由此,在太阳能电池元件中有时产生基于漏电流的不良。
发明内容
本发明的目的在于提供一种减少了产生漏电流的太阳能电池元件及一种太阳能电池模块。
本发明的一实施方式涉及的太阳能电池元件具备:具有第一面及该第一面的背面的第二面的第一导电型的半导体基板;具有位于所述第一面上的第一层及贯通所述半导体基板或经由侧面而与所述第一层连续且位于所述第二面上的第二层的第二导电型的半导体层。进而,上述太阳能电池元件具备:具有位于所述第一层上的主电极部及贯通所述半导体基板或经由所述半导体基板的侧面而与所述主电极部电连接且位于所述第二层上的第一输出取出部的第一电极;位于所述第二面中的未配置所述第二层的部分的第二电极。并且,在上述太阳能电池元件中,所述第二层的方块电阻比所述第一层的方块电阻大。
本发明的一实施方式涉及的太阳能电池模块具备上述太阳能电池元件。
根据上述的太阳能电池元件及太阳能电池模块,能够使输出特性提高。
附图说明
图1是从第一面侧观察本发明的一实施方式涉及的太阳能电池元件的一例的俯视示意图。
图2是从第二面侧观察本发明的一实施方式涉及的太阳能电池元件的一例的俯视示意图。
图3(a)是从图1的截面A-A观察的示意图,(b)是从图1的截面B-B观察的示意图。
图4是图2的部分C的放大俯视图。
图5是说明本发明的一实施方式涉及的太阳能电池模块的一例的示意图,(a)是太阳能电池模块的局部截面放大图,(b)是从第一面侧观察太阳能电池模块的俯视图。
具体实施方式
《太阳能电池元件》
如图1~图4所示那样,本发明的一实施方式涉及的太阳能电池元件10具备:一导电型的半导体基板1;具有与半导体基板1不同的导电型的反向导电型层2;贯通孔3;第一电极4;第二电极5;半导体层6;以及减反射层7。
半导体基板1具有第一面1F(在图3中为上表面侧)及第一面1F的背面的第二面1S(在图3中为下表面侧)。在太阳能电池元件10中,第一面1F成为受光面。以下,为了方便说明,也有时将第一面1F称为半导体基板1的受光面,将第二面1S称为半导体基板1的背面等。
作为半导体基板1,使用具有规定的掺杂剂元素(用于控制导电型的杂质)而具有一导电型(例如p型)的单晶硅基板或多晶硅基板等晶体硅基板。即,半导体基板1具有第一导电型。半导体基板1的厚度例如能够设为250μm以下,进而150μm以下。半导体基板1的形状并不特别限制,半导体基板1的形状例如可以设为四边形状。
作为半导体基板1,例如可以使用具有p型导电型的晶体硅基板。在将半导体基板1设为具有p型的情况下,作为掺杂剂元素,例如可以使用硼或镓。
如图3所示那样,在半导体基板1的第一面1F形成有具有多个细微的突起1b的绒面结构(凹凸结构)1a。由此,能够减少第一面1F的入射光的反射而使半导体基板1内更多地吸收太阳光。需要说明的是,绒面结构1a在本实施方式中不是必须的结构,只要根据需要形成即可。
另外,如图3所示,半导体基板1具有从第一面1F贯通至第二面1S的多个贯通孔3。贯通孔3如后述那样,在其内表面形成有第三层2c。另外,在贯通孔3的内部形成有后述的第一电极4的导通部4b。贯通孔3能够在直径为50μm以上300μm以下的范围以规定的间距形成。需要说明的是,贯通孔3在第一面1F及第二面1S的开口部的直径可以不同。例如,如图3所示那样,贯通孔3可以为从第一面1F侧朝向第二面1S侧而直径变小的形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





