[发明专利]太阳能电池元件及太阳能电池模块有效
| 申请号: | 201280037684.1 | 申请日: | 2012-07-26 |
| 公开(公告)号: | CN103718305A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
| 发明(设计)人: | 佐藤顺平;京田豪;小柏阳平;名合佑介 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 金相允;浦柏明 |
| 地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 元件 模块 | ||
1.一种太阳能电池元件,具备:
第一导电型的半导体基板,其具有第一面及该第一面的背面的第二面;
第二导电型的半导体层,其具有位于所述第一面上的第一层及贯通所述半导体基板或经由所述半导体基板的侧面而与所述第一层连续且位于所述第二面上的第二层;
第一电极,其具有位于所述第一层上的主电极部及贯通所述半导体基板或经由所述半导体基板的侧面而与所述主电极部电连接且位于所述第二层上的第一输出取出部;
第二电极,其位于所述第二面中的未配置所述第二层的部分,
所述第二层的方块电阻比所述第一层的方块电阻大。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池元件,其中,
所述半导体基板具有自所述第一面至所述第二面设置的贯通孔,
所述半导体层还具备位于所属贯通孔的内部的第三层,
所述第二层的方块电阻比所述第三层的方块电阻大。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池元件,其中,
所述第一层及所述第二层含有掺杂剂,
所述第二层的掺杂剂浓度的最大值比所述第一层的掺杂剂浓度的最大值小。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池元件,其中,
所述半导体基板具有设置于所述第一面及所述第二面之间的贯通孔,
所述半导体层还具备位于所述贯通孔的内部的第三层,
所述第二层的方块电阻比所述第三层的方块电阻大。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池元件,其中,
所述第二层的掺杂剂浓度随着离开所述贯通孔而降低。
6.根据权利要求3~5的任一项所述的太阳能电池元件,其中,
还具备形成于所述第二面上的、含有与所述半导体基板相比高浓度的掺杂剂的所述第一导电型的半导体部,
在该半导体部上形成所述第二电极。
7.一种太阳能电池模块,具备:
权利要求1~6的任一项所述的太阳能电池元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





