[发明专利]液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201280037025.8 申请日: 2012-08-03
公开(公告)号: CN103765306A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 内田诚一;金子诚二;小川康行;山本薰;田中耕平;高丸泰;森重恭 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1368
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 液晶 显示装置 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种有源矩阵型液晶显示装置,特别是涉及一种具备辅助电容电极的液晶显示装置。

背景技术

在有源矩阵型的液晶显示装置中,为了提高亮度和对比度而希望提高开口率。因此,已知有通过使像素电极的边缘和用于施加图像信号电压的源极线重叠,使到源极线的最边缘为止均成为有效的像素区域,从而提高开口率的技术。

另外,若如上述那样使像素电极的边缘和源极线重叠,则会由于串扰导致像素电极的电位发生变动,进而亮度变动,容易产生闪烁。因此,已知有在像素电极与源极线重叠的部分,在这些像素电极与源极线之间设置辅助电容电极来进行屏蔽,由此抑制串扰从而实现闪烁减少的技术(例如,参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2004-20687号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

为了可靠地抑制像素电极与源极线之间的串扰,可以考虑不仅在像素电极与源极线重叠的部分形成辅助电容电极,而且在其周围的足够的范围形成辅助电容电极。

但是,若在宽的范围形成辅助电容电极,则辅助电容增大,因此,在经源极线向像素电极施加图像信号电压时,在像素电极中充分蓄积电荷变得困难。

因此,可形成辅助电容电极的范围存在制约,因而,实际上,存在如下问题:将专利文献1所记载的辅助电容电极设置在足够广泛的范围以可靠地减少串扰和闪烁是困难的。

本发明正是鉴于该技术问题而完成的,其目的在于,可靠地抑制像素电极和源极线之间的串扰从而减少闪烁。

解决技术问题的技术方案

本发明的第一方面提供一种液晶显示装置,其特征在于,包括:

设置成格子状的栅极线和源极线;

与所述栅极线和源极线的交叉位置对应地设置成矩阵状的像素电极;

透明辅助电容电极,在该透明辅助电容电极与所述像素电极之间形成辅助电容;

开关元件,其根据从所述栅极线赋予的扫描信号,将从所述源极线供给的图像信号电压施加至所述像素电极,

所述开关元件使用氧化物半导体构成,并且,

所述透明辅助电容电极设置于所述源极线与所述像素电极之间。

由此,透明辅助电容电极设置于源极线与像素电极之间,因此,作为透明屏蔽电极起作用,能够抑制串扰从而减少闪烁。在该情况下,开关元件由于使用氧化物半导体构成而具有较大驱动能力,在像素电极中充分蓄积电荷变得容易,因此,透明辅助电容电极的形状及大小的自由度变大。因此,能够容易将透明辅助电容电极形成在广泛范围等从而得到较大的屏蔽效果。因此,能够大幅且可靠地降低寄生电容,从而可靠地抑制串扰、减少闪烁。

本发明的第二方面的液晶显示装置在本发明第一方面的基础上,其特征在于,

所述透明辅助电容电极遍及除设置有所述开关元件的区域以及所述开关元件与所述像素电极连接的区域以外的、各像素区域的整个区域设置。

另外,本发明的第三方面的液晶显示装置在本发明第一方面和第二方面中任一方面的基础上,其特征在于,

所述透明辅助电容电极遍及纵横相邻的像素区域连续设置。

由此,通过透明辅助电容电极能够容易地充分覆盖源极线,因此,如上所述,能够容易地使寄生电容降低且可靠地抑制串扰,从而大幅且可靠地减少闪烁。另外,通过将所述透明辅助电容电极遍及纵横相邻的像素区域连续设置,能够减少透明辅助电容电极的配线电阻,因此,能够减少面板驱动的负荷。

本发明第四方面的液晶显示装置在本发明第一方面至第三方面中任一方面的基础上,其特征在于,

所述透明辅助电容电极使用低电阻化后的氧化物半导体构成。

本发明第五方面的液晶显示装置在本发明第四方面的基础上,其特征在于,

所述透明辅助电容电极与构成所述开关元件的氧化物半导体形成于同一层。

由此,能够将为了构成开关元件而形成的氧化物半导体层作为透明辅助电容电极使用,不需要另外形成导电体层,能够容易地实现结构及制造工序的简化。

本发明第六方面的液晶显示装置在本发明第五方面的基础上,其特征在于,

所述开关元件还具有栅极绝缘膜和栅极电极,通过构成所述开关元件的氧化物半导体、所述栅极绝缘膜和所述栅极电极在基板上依次层叠而构成。

另外,本发明第七方面的液晶显示装置在本发明第六方面的基础上,其特征在于,

构成所述透明辅助电容电极的氧化物半导体,通过没有被所述开关元件的栅极电极掩蔽的区域被低电阻化处理而形成。

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