[发明专利]液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法有效
| 申请号: | 201280037025.8 | 申请日: | 2012-08-03 |
| 公开(公告)号: | CN103765306A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
| 发明(设计)人: | 内田诚一;金子诚二;小川康行;山本薰;田中耕平;高丸泰;森重恭 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 液晶 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示装置,其特征在于,包括:
设置成格子状的栅极线和源极线;
与所述栅极线和源极线的交叉位置对应地设置成矩阵状的像素电极;
透明辅助电容电极,在该透明辅助电容电极与所述像素电极之间形成辅助电容;和
开关元件,其根据从所述栅极线赋予的扫描信号,将从所述源极线供给的图像信号电压施加至所述像素电极,
所述开关元件使用氧化物半导体构成,并且,
所述透明辅助电容电极设置于所述源极线与所述像素电极之间。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述透明辅助电容电极遍及除设置有所述开关元件的区域以及所述开关元件与所述像素电极连接的区域以外的、各像素区域的整个区域设置。
3.如权利要求1和2中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述透明辅助电容电极遍及纵横相邻的像素区域连续设置。
4.如权利要求1至3中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述透明辅助电容电极使用低电阻化后的氧化物半导体构成。
5.如权利要求4所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述透明辅助电容电极与构成所述开关元件的氧化物半导体形成于同一层。
6.如权利要求5所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述开关元件还具有栅极绝缘膜和栅极电极,通过构成所述开关元件的氧化物半导体、所述栅极绝缘膜和所述栅极电极在基板上依次层叠而构成。
7.如权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于:
构成所述透明辅助电容电极的氧化物半导体,通过没有被所述开关元件的栅极电极掩蔽的区域被低电阻化处理而形成。
8.如权利要求1至7中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
在所述像素电极形成有相互平行的多个狭缝。
9.如权利要求1至8中任一项所述的液晶显示装置,其特征在于:
所述像素电极以边缘部与所述源极线重叠的方式设置。
10.一种液晶显示装置的制造方法,该液晶显示装置包括:
设置成格子状的栅极线和源极线;
与所述栅极线和源极线的交叉位置对应地设置成矩阵状的像素电极;
辅助电容电极,在该辅助电容电极与所述像素电极之间形成辅助电容;和
开关元件,其根据从所述栅极线赋予的扫描信号,将从所述源极线供给的图像信号电压施加至所述像素电极,
所述开关元件使用氧化物半导体构成,并且,
所述辅助电容电极设置于所述源极线与所述像素电极之间,且使用低电阻化后的氧化物半导体构成,
所述液晶显示装置的制造方法的特征在于,包括以下工序:
在基板上形成导电体层,并进行图案化,从而形成源极线;
在源极线的上层形成氧化物半导体层,并在成为开关元件的源极电极、漏极电极和沟道区域的区域以及成为辅助电容电极的区域进行图案化;
在所述氧化物半导体层上依次形成绝缘膜层和导电体层,并进行图案化,从而形成栅极绝缘膜、栅极线和栅极电极;
以栅极电极作为掩模,对所述氧化物半导体层进行低电阻化,形成开关元件的源极电极、漏极电极和辅助电容电极;和
在开关元件的漏极电极和辅助电容电极的上层形成导电体层,并进行图案化,从而形成像素电极。
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