[发明专利]制备Tc-99m的方法无效
| 申请号： | 201280034257.8 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103650061A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | L.A.M.M.巴波萨 | 申请（专利权）人： | 马林克罗特有限公司 |
| 主分类号： | G21G1/00 | 分类号： | G21G1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 秦剑 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 tc 99 方法 | ||
1.制备Tc-99m的方法，所述方法包括将纯化的Mo-99的溶液与包含钛氧化物和i)锡氧化物或ii)锆氧化物的吸附材料接触，从而使得由Mo-99衰变得到的Tc-99m此后可被洗脱的步骤。
2.根据权利要求1的方法，其中所述吸附材料包含锡氧化物和钛氧化物。
3.根据权利要求1的方法，其中所述包含锆氧化物和钛氧化物的吸附材料为Termoxid-5M。
4.根据权利要求2的方法，其中所述包含锡氧化物和钛氧化物的吸附材料为Termoxid-52。
5.根据前述权利要求任一项的方法，其中所述方法还包括允许充足的时间以使Mo-99衰变并洗脱Tc-99m的步骤。
6.根据权利要求5的方法，其中所述方法还包括通过除去残余钼回收所述吸附材料并任选地将纯化的Mo-99的第二溶液与回收的吸附材料接触。
7.根据前述权利要求任一项的方法，其中在钼载体存在下将纯化的Mo-99的溶液与所述吸附材料接触。
8.根据前述权利要求任一项的方法，其中所述吸附材料的粒度范围为0.001mm至3mm。
9.根据权利要求8的方法，其中所述吸附材料的粒度范围为0.2mm至1mm。
10.根据权利要求9的方法，其中所述吸附材料的粒度范围为0.4mm至1mm。
11.实施权利要求1的方法的装置，所述装置包括含有吸附材料的柱或容器，其中所述吸附材料包括钛氧化物和i)锡氧化物或ii)锆氧化物，且所述装置与屏蔽组件一起被提供。
12.根据权利要求11的装置，其还包括含有钼载体溶液的容器，且设置为与含有所述吸附材料的柱或容器在上游流体联通。
13.根据权利要求10或11的装置，其中所述吸附材料的粒度范围为0.001mm至3mm。
14.根据权利要求13的装置，其中所述吸附材料的粒度范围为0.2mm至1mm。
15.根据权利要求14的装置，其中所述吸附材料的粒度范围为0.4mm至1mm。
16.回收Tc-99m发生器的方法，所述发生器包括吸附材料，所述吸附材料包含钛氧化物和i)锡氧化物或ii)锆氧化物，所述方法包括从所述吸附材料除去残余钼的步骤。
17.根据权利要求16的方法，其中所述从吸附材料除去残余钼的步骤包括将所述吸附材料与强碱溶液接触。
18.根据权利要求16或17的方法，其还包括将纯化的Mo-99溶液与回收的吸附材料接触的步骤。
19.根据权利要求16至18中任一项的方法，其中所述吸附材料的粒度范围为0.001mm至3mm。
20.根据权利要求19的方法，其中所述吸附材料的粒度范围为0.2mm至1mm。
21.根据权利要求20的方法，其中所述吸附材料的粒度范围为0.4mm至1mm。
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