[发明专利]用于OLED封装的屏蔽管理系统和方法有效

专利信息
申请号: 201280033772.4 申请日: 2012-06-18
公开(公告)号: CN103703584B 公开(公告)日: 2019-10-15
发明(设计)人: 栗田真一;B·S·金 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H05B33/04
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 oled 封装 管理 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种封装有机发光二极管(OLED)器件的方法,包括:

将第一屏蔽置于基板上,所述第一屏蔽具有穿过所述第一屏蔽形成的开口,所述基板具有一或更多个对准标记,所述第一屏蔽具有第一尺寸,其中所述基板设置于基板支撑件上,所述基板支撑件具有形成于所述基板支撑件中的开口;

用所述第一屏蔽,将第一封装层沉积于设置在所述基板上的所述OLED器件之上,其中在第一工艺腔室中将所述第一屏蔽置于所述基板之上,所述第一工艺腔室具有遮蔽框和设置在所述第一工艺腔室外部的对准视觉化系统,且在所述第一工艺腔室中将所述第一封装层沉积于设置在所述基板之上的所述OLED器件之上,并且其中所述对准视觉化系统可操作以将一光线照射通过形成于所述基板支撑件中的所述开口并照射在所述遮蔽框上的一位置处,并且所述对准视觉化系统测量从所述对准标记至穿过所述第一屏蔽形成的所述开口的边界的距离;

将第二屏蔽置于所述基板上,所述第二屏蔽具有第二尺寸;

用所述第二屏蔽,将缓冲层沉积于所述第一封装层和所述OLED器件之上;

将第三屏蔽置于所述基板上,所述第三屏蔽具有与所述第一尺寸相等的尺寸;

用所述第三屏蔽,将第二封装层沉积于所述缓冲层、所述第一封装层和所述OLED器件之上。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一封装层和所述第二封装层包括硅氮化物。

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第二尺寸与所述第一尺寸不同。

4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第二尺寸与所述第一尺寸相同。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第二尺寸与所述第一尺寸相同。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一屏蔽和所述第三屏蔽包括实质上相同的屏蔽图案。

7.一种封装有机发光二极管(OLED)器件的方法,包括:

将基板和第一屏蔽接收至第一传输腔室中,所述基板具有一或更多个对准标记,所述第一屏蔽具有第一尺寸和穿过所述第一屏蔽形成的开口;

在第一工艺腔室中将所述第一屏蔽置于所述基板之上,所述基板设置于第一基板支撑件上,所述第一基板支撑件具有形成于所述第一基板支撑件中的开口,所述第一工艺腔室具有第一遮蔽框和设置在所述第一工艺腔室外部的第一对准视觉化系统,其中所述第一对准视觉化系统可操作以将一光线照射通过形成于所述第一基板支撑件中的所述开口并照射在所述第一遮蔽框上的一位置处,并且所述第一对准视觉化系统测量从所述对准标记至穿过所述第一屏蔽形成的所述开口的边界的距离;

用所述第一屏蔽将第一封装层沉积到设置在所述基板上的所述OLED器件之上,其中在所述第一工艺腔室中将所述第一屏蔽置于所述基板之上,且在所述第一工艺腔室中将所述第一封装层沉积于设置在所述基板之上的所述OLED器件之上;

将所述基板和第二屏蔽接收至第二传输腔室中,所述第二屏蔽具有穿过所述第二屏蔽形成的开口;

在第二工艺腔室中将所述第二屏蔽置于所述基板之上,所述基板设置于第二基板支撑件上,所述第二基板支撑件具有形成于所述第二基板支撑件中的开口,所述第二工艺腔室具有第二遮蔽框和设置在所述第二工艺腔室外部的第二对准视觉化系统,其中所述第二对准视觉化系统可操作以将一光线照射通过形成于所述第二基板支撑件中的所述开口并照射在所述第二遮蔽框上的一位置处,并且所述第二对准视觉化系统测量从所述对准标记至穿过所述第二屏蔽形成的所述开口的边界的距离;

在所述第二工艺腔室中用所述第二屏蔽将缓冲层沉积于所述第一封装层和所述OLED器件之上;

将所述基板和第三屏蔽接收至第三传输腔室中,所述第三屏蔽具有穿过所述第三屏蔽形成的开口,所述第三屏蔽与所述第一屏蔽具有实质相同的屏蔽图案:

在第三工艺腔室中将所述第三屏蔽置于所述基板之上,所述基板设置于第三基板支撑件上,所述第三基板支撑件具有形成于所述第三基板支撑件中的开口,所述第三工艺腔室具有第三遮蔽框和设置在所述第三工艺腔室外部的第三对准视觉化系统,其中所述第三对准视觉化系统可操作以将一光线照射通过形成于所述第三基板支撑件中的所述开口并照射在所述第三遮蔽框上的一位置处,并且所述第三对准视觉化系统测量从所述对准标记至穿过所述第三屏蔽形成的所述开口的边界的距离;以及

在所述第三工艺腔室中用所述第三屏蔽将第二封装层沉积于所述缓冲层、所述第一封装层和所述OLED器件之上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280033772.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top