[发明专利]用于存储器阵列的取消选择驱动器在审
申请号: | 201280032527.1 | 申请日: | 2012-06-28 |
公开(公告)号: | CN103635970A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | H·A·卡斯特罗 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G11C8/04 | 分类号: | G11C8/04;G11C8/10 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张晰;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 存储器 阵列 取消 选择 驱动器 | ||
1.一种方法,包括:
接收识别存储器阵列内的编址存储器单元的地址;
采用取消选择驱动器在存储器访问之前向第一组选择线施加取消选择电压;
在存储器访问过程中使所述第一组选择线中的至少一些与所述取消选择电压的来源隔离;
采用选择驱动器在存储器访问过程中向与所述编址存储器单元相关联的选择线施加选择电压。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在存储器访问过程中向第二组选择线施加所述取消选择电压;
其中,与所述编址存储器单元相关联的选择线包含于所述第一组选择线中的在存储器访问过程中与所述取消选择电压的来源隔离的至少一些选择线中。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第二组选择线是所述第一组选择线的子集。
4.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第一组选择线和所述第二组选择线是交错的。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,取消选择驱动器在集成电路上所占用的空间大约不到所述选择驱动器的25%。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述取消选择驱动器包括分布式漏极场效应晶体管。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述取消选择驱动器包括次佳晶体管。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述存储器阵列包括相变存储器单元,并且所述取消选择驱动器包括经修改的存储器元件。
9.一种装置,包括:
包括耦合至选择线的存储器单元的存储器阵列;
耦合至所述选择线的取消选择驱动器;
耦合至所述选择线的选择驱动器;
取消选择解码电路,其使第一组取消选择驱动器能够:在存储器访问之前在第一组选择线上设置取消选择电压,并在存储器访问过程中使所述第一组选择线中的至少一些与所述取消选择电压的来源隔离;以及
选择解码电路,其用于接收编址存储器单元的地址,并且使选择驱动器能够在存储器访问过程中在耦合至所述编址存储器单元的选择线上设置选择电压。
10.根据权利要求9所述的装置,所述取消选择解码电路还在存储器访问过程中在第二组选择线上设置取消选择电压;
其中,耦合至所述编址存储器单元的选择线包含于所述第一组选择线中的在存储器访问过程中与所述取消选择电压的来源隔离的至少一些选择线中。
11.根据权利要求10所述的装置,其中,所述第一组选择线和所述第二组选择线是交错的。
12.根据权利要求9所述的装置,其中,取消选择驱动器在集成电路上所占用的空间大约不到选择驱动器的25%。
13.根据权利要求9所述的装置,其中,所述取消选择驱动器包括分布式漏极场效应晶体管。
14.根据权利要求9所述的装置,其中,所述取消选择驱动器包括次佳晶体管。
15.根据权利要求9所述的装置,其中,所述存储器阵列包括相变存储器单元,并且所述取消选择驱动器包括经修改的存储器元件。
16.一种系统,包括:
存储器电路;以及
能够与所述存储器电路进行数据的读写的处理器;
其中,所述存储器电路包括:
包括耦合至选择线的存储器单元的存储器阵列;
耦合至所述选择线的取消选择驱动器;
耦合至所述选择线的选择驱动器;
取消选择解码电路,其使第一组取消选择驱动器能够:在存储器访问之前在第一组选择线上设置取消选择电压,并在存储器访问过程中使所述第一组选择线中的至少一些与所述取消选择电压的来源隔离;以及
选择解码电路,其用于接收编址存储器单元的地址,并且使选择驱动器能够在存储器访问过程中在耦合至所述编址存储器单元的选择线上设置选择电压。
17.根据权利要求16所述的系统,所述取消选择解码电路还在存储器访问过程中在第二组选择线上设置取消选择电压;
其中,耦合至所述编址存储器单元的选择线包含于所述第一组选择线中的在存储器访问过程中与所述取消选择电压的来源隔离的至少一些选择线中。
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