[发明专利]半固化片、层压板、半导体封装件及层压板的制造方法

权利要求书

1.半固化片，通过使由环氧树脂、环氧树脂固化剂和选自环氧基硅烷偶联剂、阳离子型硅烷偶联剂、氨基硅烷偶联剂、钛酸酯系偶联剂和硅油型偶联剂中的1种以上偶联剂、固化催化剂、无机填充材料构成的树脂组合物渗透到纤维基材中而得到，

其中，该半固化片中的氮含量在0.10质量％以下，

所述纤维基材的透气度在3.0cm³/cm²/秒以上、30.0cm³/cm²/秒以下。

2.根据权利要求1所述的半固化片，其特征在于，所述固化催化剂包括咪唑化合物。

3.根据权利要求1或2所述的半固化片，其特征在于，所述纤维基材的基重在145g/m²以上、300g/m²以下。

4.根据权利要求1或2所述的半固化片，其特征在于，所述基材的厚度在50μm以上、300μm以下。

5.权利要求1或2所述的半固化片，其特征在于，所述纤维基材为玻璃纤维基材。

6.层压板，具有权利要求1～5中任一项所述的半固化片的固化物。

7.半导体封装件，通过在对权利要求6所述的层压板进行电路加工而得到的电路基板上搭载半导体元件而形成。

8.层压板的制造方法，在该方法中，先进行以下二个工序：

使由环氧树脂、环氧树脂固化剂、和选自环氧基硅烷偶联剂、阳离子型硅烷偶联剂、氨基硅烷偶联剂、钛酸酯系偶联剂和硅油型偶联剂中的1种以上偶联剂、溶剂、固化催化剂、无机填充材料构成的树脂清漆渗透到纤维基材中、得到半固化片的工序，以及

对所述半固化片进行加热、得到半固化片的固化物的工序；

然后再进行用激光形成通孔的工序；

所述树脂清漆中的理论氮含量在0.50质量％以下，

所述纤维基材的透气度在3.0cm³/cm²/秒以上、30.0cm³/cm²/秒以下。

9.根据权利要求8所述的层压板的制造方法，其中，所述环氧树脂固化剂为化学式中不含氮原子的有机化合物。

10.根据权利要求8或9所述的层压板的制造方法，其中，所述溶剂为化学式中不含氮原子的有机化合物。