[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201280029535.0 | 申请日: | 2012-09-25 |
公开(公告)号: | CN103620771B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 横山贤司;川端毅;萩原清己 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 韩聪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其具备:
扩展型半导体芯片,其包括第1半导体芯片及被设置为从上述第1半导体芯片的侧面向外方扩展的扩展部;和
第2半导体芯片,其经由多个凸起而与上述扩展型半导体芯片连接,并且与上述第1半导体芯片电连接,
上述第1半导体芯片比上述第2半导体芯片小,
在上述扩展部设置有至少1个外部端子。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
上述多个凸起包括:
设置于上述第1半导体芯片与上述第2半导体芯片之间的第1凸起;及
配置于上述扩展部与上述第2半导体芯片之间的第2凸起。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
在上述第2半导体芯片中的与上述扩展部对置的部分设置第1焊盘,
配置在上述扩展部与上述第2半导体芯片之间的上述第2凸起被连接至上述第2半导体芯片的上述第1焊盘。
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置,其特征在于,
在上述扩展部上设置第2焊盘,
配置在上述扩展部与上述第2半导体芯片之间的上述第2凸起被连接至上述扩展部的上述第2焊盘。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
上述第1凸起和上述第2凸起具有不同的高度。
6.根据权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于,
上述第1凸起和设置于上述第1半导体芯片的第3焊盘连接,
上述第1焊盘、上述第2焊盘及上述第3焊盘具有凹部,
上述第1凸起和上述第2凸起具有不同的高度,
连接上述第1凸起的上述第3焊盘、和连接上述第2凸起的上述第1焊盘或第2焊盘,其凹部的大小是不同的。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
避开上述第1半导体芯片及上述第2半导体芯片的至少一方中的晶体管配置区域,来配置上述多个凸起。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,
上述多个凸起被配置在上述第1半导体芯片及上述第2半导体芯片的至少一方中的配置了未发生因定时偏差引起的误动作的单元的区域内,
上述未发生因定时偏差引起的误动作的单元是ESD保护单元、Tie单元、附带单元、面积率调整单元、电源电容单元、输入Tie被固定的单元及电平移位器的至少1个。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
上述多个凸起的至少1个配置于上述第1半导体芯片及上述第2半导体芯片的至少一方中的划道或密封环区域。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
上述多个凸起之中的至少1个配置在上述第1半导体芯片及上述第2半导体芯片的至少一方中的芯片角部单元区域。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
上述多个凸起之中的至少1个配置在上述第1半导体芯片及上述第2半导体芯片的至少一方中的电源布线上。
12.根据权利要求2~11中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
上述多个凸起包含未将上述扩展型半导体芯片与上述第2半导体芯片电连接的虚拟凸起,
上述虚拟凸起配置在第2区域内,该第2区域位于进行上述第1半导体芯片与上述第2半导体芯片的电连接的第1区域的外侧。
13.根据权利要求12所述的半导体装置,其特征在于,
上述虚拟凸起包含于配置在上述扩展部与上述第2半导体芯片之间的上述第2凸起。
14.根据权利要求13所述的半导体装置,其特征在于,
上述第1区域是大致四边形,
上述虚拟凸起沿着上述第1区域的相向的一对边而形成。
15.根据权利要求13所述的半导体装置,其特征在于,
上述第1区域为大致四边形,
上述虚拟凸起沿着上述第1区域的4条边而形成。
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