[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201280028400.2 | 申请日: | 2012-04-05 |
公开(公告)号: | CN103597613A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 李昇烨 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/055 | 分类号: | H01L31/055;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本公开涉及一种太阳能电池及其制造方法。
背景技术
近来,随着能源需求的增加,将太阳能转换成电能的太阳能电池的开发正在进行中。
特别是,铜铟镓硒(CIGS)基太阳能电池,即一种pn异质结器件,其具有包括玻璃基板的基板结构、金属背电极层、p型CIGS基吸光层、高电阻缓冲层和n型窗口层,现今正在被广泛应用。
此外,为了提高太阳能电池电特性,诸如低电阻和高透光率,进行了各式研究。
发明内容
技术问题
实施例提供一种效率提高且生产率高的太阳能电池。
技术方案
在一个实施例中,一种太阳能电池包括:基板;所述基板上的背电极层;所述背电极层上的吸光层;所述吸光层上的缓冲层;以及所述缓冲层上的窗口层,其中所述吸光层包括多个孔隙。
在另一个实施例中,一种太阳能电池的制造方法包括:在基板上形成背电极层;在所述背电极层上形成具有多个孔隙的吸光层;在所述吸光层上形成缓冲层;以及在所述缓冲层上形成窗口层。
有益效果
根据实施例,提供一种太阳能电池,通过增加穿过包含孔隙的吸光层的入射光的散射,使得所吸收的光的量增加。
另外,由于在形成吸光层的同时也就形成了孔隙,因此不需要其他额外的制造工艺。因此,有效地提高了生产率。
附图说明
图1是根据实施例的太阳能电池的平面图;
图2至图5是示出根据实施例的太阳能电池的制造方法的截面图。
具体实施方式
在实施例的描述中,应理解,当将层(或膜)、区域、图案或结构称为位于另一层(或膜)、区域、垫或图案上时,术语“在……上”和“在……下”包括直接与间接两种含义。进一步来说,将参照附图来描述关于各个层的上下关系。附图中,为了使描述简便且清晰,每一层的厚度或大小被夸大,省略或示意性示出。同样,每一个元件的大小不能完整地反映实际大小。
图1是根据实施例的太阳能电池的平面图。参照图1,太阳能电池板包括支撑基板100、背电极层200、孔隙360、吸光层、缓冲层400及窗口层500。
支撑基板100呈板形并且支撑着背电极层200、吸光层300、缓冲层400及窗口层500。
支撑基板100可以是绝缘体。支撑基板100可以是玻璃基板,塑料基板或金属基板。更详言之,支撑基板100可以是钠钙玻璃基板。
如果支撑基板100由钠钙玻璃形成,则在太阳能电池的制造过程中,钠钙玻璃中的Na可能会散布到由铜铟镓硒(CIGS)形成的吸光层300中。因此,吸光层300的电荷浓度会增加。这可能是增加太阳能电池光电转换效率的一个因素。
除此以外,支撑基板100可以由诸如氧化铝的陶瓷,不锈钢和柔性聚合物形成。支撑基板100可以是透明的,刚性或柔性的。
背电极层200布置在支撑基板100上。背电极层200是导电层。背电极层200通过转运在太阳能电池的吸光层300中产生的电荷,能够使得电流流到太阳能电池之外。为了执行上述动作,背电极层200应该具有高电导率,即低电阻率。
此外,由于背电极层200与用于形成吸光层的CIGS化合物相接触,所以吸光层300和背电极层200应该具有低接触电阻值的欧姆接触。
另外,在形成CIGS化合物时进行的在S或Se氛围下的热处理期间,背电极层200需要保持高温稳定性。另外,背电极层200应当相对于支撑基板100具有良好的结合力,以防止由于热膨胀系数差异而在背电极层200与支撑基板100之间出现脱层现象。
背电极层200可以由Mo、Au、Al、Cr、W及Cu中的一种形成。在这些材料中,尤其是Mo,较之于其他元素来说,具有相对于支撑基板100的更小的热膨胀系数差异,所以由于其优良的结合力其可以防止脱层现象,并且能满足背电极层200的整体特性要求。
背电极层200可以包括至少两个层。此时,各个层可以由相同或不同的金属形成。
吸光层300可以形成在背电极层200上。吸光层300包含p型半导体化合物。更详言之,吸光层300包含I-III-VI族基化合物。例如,吸光层300可以具有Cu(In,Ga)Se2(CIGS)基晶体结构、铜铟硒基晶体结构或铜镓硒晶体结构。
吸光层300的能带隙可以是约1.1eV至约1.2eV。
孔隙360可以形成在吸光层300中。孔隙360可以使用聚苯乙烯(PS)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的聚合物来形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的