[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201280028400.2 | 申请日: | 2012-04-05 |
公开(公告)号: | CN103597613A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 李昇烨 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/055 | 分类号: | H01L31/055;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,包括:
基板;
在所述基板上的背电极层;
在所述背电极层上的吸光层;
在所述吸光层上的缓冲层;以及
在所述缓冲层上的窗口层,
其中,所述吸光层包含多个孔隙。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述多个孔隙中的每一个具有约30nm至约600nm的直径。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述孔隙呈球形。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述吸光层具有约1.5μm至约5μm的厚度。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述吸光层包含聚合物。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其中,所述聚合物包含聚苯乙烯(PS)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述吸光层包含碳。
8.一种太阳能电池的制造方法,包括:
在基板上形成背电极层;
在所述背电极层上形成具有多个孔隙的吸光层;
在所述吸光层上形成缓冲层;以及
在所述缓冲层上形成窗口层。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,通过在约150℃至约500℃的温度下对铜、铟、镓、硒和聚合物进行热处理来形成所述吸光层。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述聚合物包含聚苯乙烯(PS)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的