[发明专利]半导体芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201280024239.1 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN103563053A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 针贝笃史 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 韩聪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 制造 方法 | ||
1.一种半导体芯片的制造方法，将具备形成有多个半导体元件部的第1面及与该第1面相反一侧的第2面的半导体晶片，按每个所述半导体元件部进行分割，来制造半导体芯片，其中多个所述半导体元件部在绝缘膜上是由分割区域划分开的，其中，该制造方法包括：
在所述第1面上形成覆盖所述半导体元件部但使所述分割区域露出的掩模的工序；
通过自所述第1面照射等离子体来除去从所述掩模露出的所述分割区域的所述绝缘膜的第1等离子体切割工序；
在所述第1等离子体切割工序后将保护胶带粘贴到所述第1面上的工序；
在粘贴了所述保护胶带之后，对所述第2面进行研削，对所述半导体晶片进行薄厚处理的工序；
在所述研削之后在所述第2面上粘贴带框架的保持胶带的工序；
在粘贴了所述保持胶带后，从所述第1面剥离并除去所述保护胶带的工序；
在剥离了所述保护胶带后，通过从所述第1面照射等离子体而除去所述半导体晶片中从所述掩模露出的所述分割区域的部分，按每个所述半导体元件部将所述半导体晶片分割成多个半导体芯片的第2等离子体切割工序；以及
在所述第2等离子体切割工序后除去所述掩模的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其中，
还包括：
在粘贴所述保护胶带前，通过从所述第1面照射等离子体来除去因所述第1等离子体切割工序而在所述掩模的表面上产生的变质层的工序。
3.根据权利要求1或2所述半导体芯片的制造方法，其中，
还包括：
在粘贴所述保持胶带前，通过从所述第1面照射等离子体来除去因所述研削而在所述第2面上产生的变质层的工序。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体芯片的制造方法，其中，
在除去所述掩模的工序中，通过从所述第1面照射等离子体来除去所述掩模。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
