[发明专利]光纤有效
| 申请号: | 201280022659.6 | 申请日: | 2012-05-10 |
| 公开(公告)号: | CN103517884A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
| 发明(设计)人: | 相马一之;服部知之;末吉孝;斋藤诚一;坂卷功一 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社;株式会社ADEKA |
| 主分类号: | C03C25/24 | 分类号: | C03C25/24;G02B6/44 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 丁业平;常海涛 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光纤 | ||
技术领域
本发明涉及一种在高温环境下可用于温度传感器系统等的、耐热性优异的光纤。
背景技术
近年来,已经进行了在高温环境下利用光信号的温度等的传感。
对于在这样的环境下使用的光纤而言,作为光纤包覆材料,使用了具有高耐热性的聚酰亚胺树脂。
一般而言,作为以聚酰亚胺树脂包覆玻璃纤维的方法,已知这样一种方法:该方法利用将聚酰亚胺树脂或其前驱体溶解在NMP等溶剂中而得到的清漆(varnish),并在将此聚酰亚胺清漆涂布在玻璃纤维表面后,用交联炉加热使聚酰亚胺树脂交联固化。然而,在该方法中,存在必须使清漆中使用的溶剂挥发、生产性低(~10m/min左右)的问题。
另外,光纤的传输损失受到在玻璃纤维的周围包覆的树脂的物理性质或构造的较大影响。即使包覆树脂固化后具有已经稳定的状态,由于在重绕等工序时新负载至光纤的应力或应变,也会在包覆树脂中产生物理的微小的残留应力或残留应变,在此残留应力/应变的分布在光纤中不均匀的情况下,有时会发生称为微弯损耗的过剩传输损失。因此,在光纤中,同样寻求具有抑制微弯损耗的构造。
专利文献1公开了具有引入了环氧基的环硅氧烷构造和线性硅氧烷构造的能量(紫外线等)固化型有机硅树脂(硅化合物);记载了通过联合使用此能量固化型有机硅树脂与环氧固化性化合物(固化剂),可得到固化性、耐热性以及可挠性优异的固化物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平2008-266485号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明是鉴于上述以往技术的问题点而进行的,其目的在于提供一种具有耐热性和生产性的光纤,另外提供一种除了具有前述特性之外在高温环境下的传输损失也得到抑制的光纤。
用于解决课题的手段
首先,本发明人等为了实现上述目的而进行了反复的专心研究,结果认识到,像专利文献1记载的那样,通过使用以下硅化合物作为包覆材料:该硅化合物具有由引入了环氧基的环硅氧烷构造构成的部位(环状有机硅部位)以及直链状有机硅部位,并且调整该环状有机硅部位的含量,可以得到具有耐热性和生产性的光纤。另外认识到:通过将由上述硅化合物构成的包覆层作为2层构造,并且使构成内侧包覆层的硅化合物的环状有机硅部位的含量(质量%)少于构成外侧包覆层的硅化合物的环状有机硅部位的含量(质量%),可以形成即使在高温环境下传输损失也得到进一步抑制的光纤。
其次,本发明人等为了实现上述目的而进行了反复的专心研究,结果认识到,像专利文献1记载的那样,通过使用以下树脂组合物作为包覆材料:该树脂组合物包含具有引入了环氧基的环硅氧烷构造和线性硅氧烷构造的能量固化型有机硅树脂、以及引入了环氧基的环硅氧烷化合物,并且调整该引入了环氧基的环硅氧烷化合物的含量,可以得到具有耐热性和生产性的光纤。另外认识到:通过将由上述硅化合物构成的包覆层作为2层构造,并且使构成内侧包覆层的硅化合物中的引入了环氧基的环硅氧烷化合物的含量(质量%)少于构成外侧包覆层的硅化合物中的引入了环氧基的环硅氧烷化合物的含量(质量%),可以形成即使在高温环境下传输损失也得到进一步抑制的光纤。
根据所述认识,本发明的光纤如下所述。
[1]一种光纤,其为在由芯部和包层部构成的玻璃纤维的外周上具有包覆层的光纤,所述包覆层是通过交联含有硅化合物的能量固化型树脂组合物而形成的,
其特征在于,在最外层的包覆层的能量固化型树脂组合物中所含的硅化合物由下述通式(1)表示,并且为下述式(1)中的环状有机硅部位的含量为10质量%至30质量%的硅化合物,
[化1]
(式中,R1以及R2各自独立地表示甲基或苯基,m表示1至350的数,n表示1至150的数,a表示2至5的数。但是,以m作为重复数的聚合部位和以n作为重复数的聚合部位中甲基和苯基的含量以摩尔比计为70:30至90:10,并且以m作为重复数的聚合部位和以n作为重复数的聚合部位可以是嵌段状也可以是无规状。)。
[2][1]所述的光纤,其为在由芯部和包层部构成的玻璃纤维的外周上具有包覆层的光纤,所述包覆层是通过交联含有硅化合物的能量固化型树脂组合物而形成的,
其特征在于,最外层的包覆层的能量固化型树脂组合物中所含的硅化合物由下述通式(1-1)表示,并且该硅化合物中的环状有机硅部位的含量为10质量%至30质量%,
[化2]
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