[发明专利]校准集成电路内的装置性能有效
| 申请号: | 201280022098.X | 申请日: | 2012-02-21 |
| 公开(公告)号: | CN103503129A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
| 发明(设计)人: | 薛密·沙道奇;安在境 | 申请(专利权)人: | 吉林克斯公司 |
| 主分类号: | H01L21/8234 | 分类号: | H01L21/8234;H01L21/66;G01R31/317 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 校准 集成电路 装置 性能 | ||
1.一种用于在集成电路内实施的多指装置,所述多指装置包含:
第一指形物,其经配置以保持活跃;
第二指形物,其在所述第一指形物活跃的同时最初停用;以及
指形物激活电路,其经配置以响应于确定所述多指装置的降级量度达到降级阈值,而选择性地激活所述多指装置的所述第二指形物。
2.根据权利要求1所述的多指装置,其进一步包含:
开关,其耦合到所述第二指形物上,其中所述开关选择性地将所述第二指形物的栅极耦合到数据信号,所述数据信号也耦合到所述第一指形物的栅极上。
3.根据权利要求2所述的多指装置,其中所述指形物激活电路包含:
控制电路,其经配置以响应于检测到所述降级阈值而向所述开关提供控制信号。
4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的多指装置,其中所述指形物激活电路进一步包含:
监视器电路,其经配置以通过确定所述多指装置的所述第一指形物处于活跃的时间量来检测所述降级阈值。
5.根据权利要求4所述的多指装置,其中所述监视器电路经配置以将所述多指装置的所述第一指形物处于活跃的时钟周期的数量的计数与所述降级阈值进行比较,且响应于所述计数大于或等于所述降级阈值,来指示所述控制电路激活所述第二指形物。
6.根据权利要求3所述的多指装置,其中所述指形物激活电路进一步包含:
监视器电路,其经配置以通过测量所述多指装置在实地的操作参数来检测所述降级阈值、将所述操作参数与所述降级阈值进行比较,且响应于确定所述操作参数达到所述降级阈值,来指示所述控制电路激活所述第二指形物。
7.根据权利要求6所述的多指装置,其中所述操作参数为所述多指装置的阈值电压,且所述降级阈值指定所述阈值电压的电平,所述电平大于所述阈值电压的参考电平。
8.根据权利要求6所述的多指装置,其中所述操作参数为所述多指装置的漏极饱和电流,且所述降级阈值指定所述漏极饱和电流的电平,所述电平小于所述漏极饱和电流的参考电平。
9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的多指装置,其中当不活跃时,所述第二指形物的栅极耦合到所述集成电路的电源电压电势上。
10.一种校准集成电路(IC)内的多指装置的性能的方法,所述方法包含:
确定所述IC内的所述多指装置的降级量度;
将所述降级量度与降级阈值进行比较;且
响应于确定所述降级量度达到所述降级阈值,来激活所述多指装置的一指形物。
11.根据权利要求10所述的方法,其进一步包含:
选择所述降级量度以包含所述多指装置处于活跃的时间量;以及
选择所述降级阈值为预定的时间量。
12.根据权利要求11所述的方法,其进一步包含:
根据在所述集成电路内实施的计数器内进行计数的时钟周期的数量,来确定所述多指装置处于活跃的所述时间量,其中将所述时钟周期的数量与代表所述降级阈值的所述预定的时间量的时钟周期的阈值数量进行比较。
13.根据权利要求10所述的方法,其进一步包含:
选择所述降级量度以包含所述多指装置的阈值电压;以及
选择所述降级阈值为所述多指装置的所述阈值电压的电平,所述电平大于所述阈值电压的参考电平。
14.根据权利要求10所述的方法,其进一步包含:
选择所述降级量度以包含所述多指装置的漏极饱和电流;以及
选择所述降级量度以包含所述多指装置的所述漏极饱和电流的电平,所述电平小于所述漏极饱和电流的参考电平。
15.根据权利要求10至14中任一权利要求所述的方法,其中所述多指装置包含主要指形物,所述主要指形物在所述多指装置的任何另外的指形物的激活之前处于活跃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





