[发明专利]薄膜晶体管

说明书

技术领域

本发明涉及使用于液晶显示装置或者有机EL显示装置的薄膜晶体管。

背景技术

对于使用于液晶显示装置或者有机EL显示装置的薄膜晶体管，在含有氧化物半导体膜的薄膜晶体管中采用沟道蚀刻阻挡层结构，用以抑制在形成源电极、漏电极时对氧化物半导体造成的损伤。另外，为了防止在形成沟道蚀刻阻挡层时由于还原性气体引起氧化物半导体产生特性变化，如专利文献1所示，使用SiO₂薄膜来作为沟道蚀刻阻挡层。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-161227号公报

发明内容

本发明的薄膜晶体管具有：在基板上形成的栅电极；以覆盖该栅电极的方式形成的栅绝缘膜；在该栅绝缘膜上形成的氧化物半导体层；在该氧化物半导体层的沟道形成部分形成的蚀刻阻挡膜；和以覆盖氧化物半导体层及蚀刻阻挡膜的端部的方式形成的源电极及漏电极。蚀刻阻挡膜由可以使450nm以下的波长的光衰减的绝缘膜材料构成。

根据该结构，能够提供抑制了特性变化、具有所希望的晶体管特性的薄膜晶体管。

附图说明

图1是表示一实施方式中的EL显示装置的立体图。

图2是表示一实施方式中的EL显示装置的像素隔堤的示例的立体图。

图3是表示一实施方式中的薄膜晶体管的像素电路的电路构成的电气电路图。

图4是表示一实施方式中的薄膜晶体管的示意剖视图。

图5A是用于说明一实施方式中的薄膜晶体管的制造方法的示意剖视图。

图5B是用于说明一实施方式中的薄膜晶体管的制造方法的示意剖视图。

图5C是用于说明一实施方式中的薄膜晶体管的制造方法的示意剖视图。

图5D是用于说明一实施方式中的薄膜晶体管的制造方法的示意剖视图。

图5E是用于说明一实施方式中的薄膜晶体管的制造方法的示意剖视图。

图5F是用于说明一实施方式中的薄膜晶体管的制造方法的示意剖视图。

图5G是用于说明一实施方式中的薄膜晶体管的制造方法的示意剖视图。

图5H是用于说明一实施方式中的薄膜晶体管的制造方法的示意剖视图。

符号说明

10薄膜晶体管 10d漏电极 10g栅电极 10s源电极 11薄膜晶体管 11d漏电极 11g栅电极 11s源电极 21基板 22栅电极 23栅绝缘膜 24氧化物半导体层 25蚀刻阻挡膜 26s源电极 26d漏电极 27钝化膜

具体实施方式

下面，结合附图对基于本发明一实施方式的薄膜晶体管予以说明。

图1是一实施方式中的EL显示装置的立体图。图2是表示一实施方式中的EL显示装置的像素隔堤的示例的立体图。图3是表示一实施方式中的薄膜晶体管的像素电路的电路构成的图。

如图1～图3所示，EL显示装置自下层开始由薄膜晶体管阵列装置1和发光部的层叠结构构成，其中，薄膜晶体管阵列装置1中配置了多个薄膜晶体管10或者薄膜晶体管11，发光部由作为下部电极的阳极2、由有机材料构成的作为发光层的EL层3、和透明的作为上部电极的阴极4组成。由薄膜晶体管阵列装置1对该发光部进行发光控制。

另外，发光部是在一对电极、即阳极2与阴极4之间配置了EL层3而成的结构。在阳极2与EL层3之间层叠地形成有空穴传输层，在EL层3与透明的阴极4之间层叠地形成有电子传输层。在薄膜晶体管阵列装置1中，多个像素5被配置成矩阵状。

各像素5由各自设置的像素电路6来驱动。另外，薄膜晶体管阵列装置1具有：被配置为行状的多个栅极布线7、以与栅极布线7交叉的方式被配置为列状的多个作为信号布线的源极布线8、和与源极布线8平行地延伸的多个电源布线9(图1中省略)。

栅极布线7在每行与像素电路6各自包含的作为开关元件动作的薄膜晶体管10的栅电极10g连接。源极布线8在每列与像素电路6各自包含的作为开关元件动作的薄膜晶体管10的源电极10s连接。电源布线9在每列与像素电路6各自包含的作为驱动元件动作的薄膜晶体管11的漏电极11d连接。