[发明专利]成膜装置有效

专利信息
申请号: 201280020605.6 申请日: 2012-04-16
公开(公告)号: CN103502504A 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 梶原雄二;安松保志;小长和也 申请(专利权)人: 佳能安内华股份有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 吕林红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 装置
【权利要求书】:

1.一种成膜装置,其特征为,

具有多个靶材电极、基板保持架、第一遮挡构件、第一分离壁和第二分离壁;

该多个靶材电极具备安装靶材的安装面;

该基板保持架在与上述多个靶材电极相向的位置保持上述基板;

该第一遮挡构件可旋转地设置于上述多个靶材电极与上述基板保持架之间,具有在进行了旋转时与上述安装面相向的多个开口;

该第一分离壁设置于上述第一遮挡构件的上述靶材电极侧的面上;

该第二分离壁设置于上述第一遮挡构件与上述靶材电极之间,

上述第一分离壁以夹着上述第一遮挡构件的上述多个开口的每一个的方式设置,

上述第二分离壁设置成在上述第一遮挡构件绕旋转轴旋转了规定角度以上时,能够与上述第一分离壁抵接,

在成膜处理时,上述第一分离壁位于在与上述第二分离壁之间形成间隙的位置。

2.如权利要求1所述的成膜装置,其特征为,

还具有第二遮挡构件,该第二遮挡构件可旋转地设置于上述第一遮挡构件与上述基板保持架之间,具有在上述第二遮挡构件或上述第二遮挡构件进行了旋转时,与上述第一遮挡构件的上述多个开口的任一开口相向的开口,

上述第二遮挡构件的上述开口的数量,是上述第一遮挡构件的上述多个开口的数量以上。

3.如权利要求1或2所述的成膜装置,其特征为,

还具有设置于上述靶材电极与上述第一遮挡构件之间的遮蔽构件,

上述遮蔽构件具有开口,该开口与上述安装面相向,其数量仅与上述多个靶材电极的数量相等,

上述第二分离壁设置于上述遮蔽构件上。

4.一种成膜装置,其特征为,

具有多个靶材电极、基板保持架、第一遮挡构件、遮蔽构件、第一分离壁和第二分离壁;

该多个靶材电极具备安装靶材的安装面;

该基板保持架在与上述多个靶材电极相向的位置保持上述基板;

该第一遮挡构件可旋转地设置于上述多个靶材电极与上述基板保持架之间,具有在进行了旋转时与上述安装面相向的多个开口;

该遮蔽构件设置于上述第一遮挡构件与上述多个靶材电极之间,具有开口,该开口与上述安装面相向,其数量仅与上述多个靶材电极的数量相等;

该第一分离壁设置于上述第一遮挡构件的上述基板保持架侧的面上;

该第二分离壁设置于上述遮蔽构件的第一遮挡构件侧的面上,

上述第一分离壁以夹着上述第一遮挡构件的上述多个开口的每一个的方式设置,

上述第二分离壁设置成在上述第一遮挡构件绕旋转轴旋转了规定角度以上时,能够与上述第一分离壁抵接,

在成膜处理时,上述第一分离壁位于在与上述第二分离壁之间具有间隙的位置。

5.如权利要求4所述的成膜装置,其特征为,

还具有第二遮挡构件,该第二遮挡构件可旋转地设置于上述遮蔽构件与上述基板保持架之间,具有在上述第二遮挡构件或上述第二遮挡构件进行了旋转时,与上述第一遮挡构件的上述多个开口的任一开口相向的开口,

上述第二遮挡构件的开口的数量,是上述第一遮挡构件的上述多个开口的数量以上。

6.如权利要求1至5中的任一项所述的成膜装置,其特征为,

上述靶材电极中的2个用于同时成膜处理,

在上述同时成膜处理时,上述第一遮挡构件的上述多个开口中的2个开口,与用于上述同时成膜处理的上述靶材电极的上述安装面同时地相向。

7.如权利要求6所述的成膜装置,其特征为,

在上述第一遮挡构件上形成了上述多个开口的全部或作为一部分的2个开口,上述2个开口形成在相对于上述旋转轴的对称位置。

8.如权利要求1至7中的任一项所述的成膜装置,其特征为,

上述第一分离壁及上述第二分离壁,都以上述旋转轴为中心在径方向延伸。

9.如权利要求1至8中的任一项所述的成膜装置,其特征为,

形成于上述第一遮挡构件上的上述多个开口,在第一遮挡构件的周方向比在其径方向具有长的尺寸。

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