[发明专利]石英玻璃坩埚及其制造方法、以及单晶硅的制造方法有效

专利信息
申请号: 201280017986.2 申请日: 2012-02-15
公开(公告)号: CN103459336A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 木村明浩;星亮二;三田村伸晃;镰田洋之 申请(专利权)人: 信越半导体股份有限公司
主分类号: C03B20/00 分类号: C03B20/00;C30B15/10;C30B29/06
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张永康;向勇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 石英玻璃 坩埚 及其 制造 方法 以及 单晶硅
【权利要求书】:

1.一种石英玻璃坩埚的制造方法,其特征在于,其包含:

步骤a,该步骤a准备由石英玻璃所构成,且具有坩埚形状的坩埚基材;

步骤b,该步骤b利用直接法或火焰水解法来制作合成石英玻璃材料;

步骤c,该步骤c将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状;及,

步骤d,该步骤d进行热处理,通过硅石粉末来粘结前述坩埚基材的内壁与前述加工成坩埚形状的合成石英玻璃材料的外壁。

2.如权利要求1所述的石英玻璃坩埚的制造方法,其中,在前述粘结步骤中,将前述坩埚基材与前述加工成坩埚形状的合成石英玻璃材料相重叠后,利用熔接前述坩埚基材的内壁上部与前述加工成坩埚形状的合成石英玻璃材料的外壁上部的一部分,设置从坩埚外部与前述坩埚基材和前述加工成坩埚形状的合成石英玻璃材料的间隙相通的孔洞,自与该间隙相通的孔洞导入并填充硅石粉末,然后进行热处理。

3.如权利要求1或2所述的石英玻璃坩埚的制造方法,其中,向前述坩埚基材的内部,通过前述硅石粉末配置前述加工成坩埚形状的合成石英玻璃材料,并向该合成石英玻璃材料的内部填充多晶硅,利用在单晶硅提拉机内熔融该多晶硅时的加热,同时进行利用前述热处理的粘结。

4.如权利要求1或2所述的石英玻璃坩埚的制造方法,其中,向前述坩埚基材的内部,通过前述硅石粉末配置前述加工成坩埚形状的合成石英玻璃材料,并使用电炉来加热前述坩埚基材和合成石英玻璃材料,以进行利用前述热处理的粘结。

5.如权利要求1或2所述的石英玻璃坩埚的制造方法,其中,向前述坩埚基材的内部,通过前述硅石粉末配置前述加工成坩埚形状的合成石英玻璃材料,并在单晶硅提拉机内,加热前述坩埚基材和合成石英玻璃材料,以进行利用前述热处理的粘结。

6.如权利要求1至5中的任一项所述的石英玻璃坩埚的制造方法,其中,在前述合成石英玻璃材料的制造步骤中,制作厚度为1mm以上板状的前述合成石英玻璃材料。

7.如权利要求1至6中的任一项所述的石英玻璃坩埚的制造方法,其中,在前述合成石英玻璃材料的坩埚形状的加工步骤中,由一个或二个以上的前述合成石英玻璃材料来构成前述坩埚形状。

8.一种石英玻璃坩埚,其特征在于,其利用权利要求1至7中的任一项所述的石英玻璃坩埚的制造方法制造而成。

9.一种石英玻璃坩埚,其特征在于,其具备由石英玻璃所构成且具有坩埚形状的坩埚基材、和不作粉碎而加工成坩埚形状的合成石英玻璃材料;

前述合成石英玻璃材料是利用直接法或火焰水解法所制作,实际上不含气泡;并且,前述坩埚基材的内壁与前述合成石英玻璃材料的外壁,通过硅石粉末而粘结。

10.如权利要求8或9所述的石英玻璃坩埚,其中,前述合成石英玻璃材料的厚度为1mm以上。

11.一种单晶硅的制造方法,其特征在于,在权利要求8至10中的任一项所述的石英玻璃坩埚的内部保持硅熔液,并利用直拉法自该硅熔液提拉单晶硅,由此来制造单晶硅。

12.一种单晶硅的制造方法,其特征在于,其利用权利要求3所述的石英玻璃坩埚的制造方法,在熔融前述多晶硅的同时制造前述石英玻璃坩埚,继而,利用直拉法,自前述多晶硅的熔融所产生的硅熔液提拉单晶硅,由此来制造单晶硅。

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