[发明专利]发光器件及其制造方法有效
申请号: | 201280016963.X | 申请日: | 2012-02-28 |
公开(公告)号: | CN103460435B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 爱德华·威廉·艾伯特;C-C·范 | 申请(专利权)人: | 荷兰应用自然科学研究组织TNO |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/00;G02B5/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 顾晋伟,全万志 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及发光器件。
本发明还涉及制造发光器件的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)是新的显示和照明技术的基础。OLED器件包括夹在阴极和阳极之间的电致发光有机材料的薄膜,其中这些电极中的至少一个是透明导体。当在器件两端施加电压时,电子和空穴从它们各自的电极被注入并且通过发射激子的中间形成而在电致发光有机材料中复合。
底部发射OLED可以被认为是由如下芯组成:该芯含有高折射率层(用于光产生,载流子输运、注入或阻挡的有机层,以及通常的透明导电氧化物层)和低折射率衬底材料(例如玻璃板或聚合物膜)。因此,在芯内产生的光可能遇到高折射率到低折射率的界面,在该界面处它可能经历内反射。由于在第一界面处的遭遇而不能逃离芯的光被约束为波导模式,而穿过该界面但由于在衬底-空气界面处的反射而不能从衬底逃离的光被约束为衬底模式。由于在顶部发射OLED中的界面,所以发生类似的光损耗。
以此方式,在OLED器件中,由于在靠近电致发光有机层的瞬逝区(evanescentzone)和衬底空气界面中的过程,通常所产生的光中超过70%的光被损耗掉。大部分光经历内反射,导致光从器件的边缘发出或者被约束器件内并最终在反复的通过之后在器件内吸收损耗掉。
改善在衬底到空气界面处光的向外耦合的解决方案很常见,并且依赖于在衬底表面处的散射或(微)透镜。
改善光从OLED进入衬底的耦合的解决方案不太常见。已经提出了各种解决方案以通过干扰所述界面来影响到达衬底的光。在瞬逝区中,在此区域中呈指数衰减的电磁场还被称为瞬逝场。只有一部分发射光通过透明电极射出作为“有用”光进入衬底。
WO2009011961公开了一种用于制造用于增强光提取的光学膜。该方法包括以下步骤:
将具有第一折射率的有机材料的层涂覆到柔性衬底上;
向有机材料赋予纳米结构特征,以生成纳米结构表面;以及
向纳米结构表面施加回填层,以在纳米结构表面上形成平坦化层,其中所述回填层包括具有不同于第一折射率的第二折射率的材料,并且其中当光学膜相对于自发光光源设置时,纳米结构特征的主要部分在与自发光光源的发光区域相邻的瞬逝区内。
如此得到的光学膜被用于增强OLED中的光提取。该OLED包括:具有至少一个将光从器件输出的表面的自发光光源;以及与自发光光源的至少一个表面相邻的光提取膜。其中光提取膜包括:柔性衬底;具有第一折射率的提取元件的结构层,其中提取元件的主要部分在自发光光源的光输出表面的瞬逝区内;以及包含具有不同于第一折射率的第二折射率材料的回填层,,其中回填层在提取元件之上形成平坦化层,其中结构层和回填层足够接近自发光光源的光输出表面以至少部分地增强光从该表面的提取。在从WO2009011961已知的器件中,回填层布置在结构层的面向OLED表面的一侧。
对于以这种方式制造的光学膜必要的是,从OLED的表面到结构层与回填层之间的界面的距离仍然比较大。为了提供足够的平坦化,回填层应具有相对大的厚度。
WO2009011961提及“当回填层具有比结构层的折射率更低的折射率时,则回填层优选地具有基本等于提取元件的厚度。当回填层具有比结构层的折射率更高的折射率时,则回填层可以比提取元件厚,只要其仍然可以与瞬逝波相互作用即可。在这两种情况中,结构层和回填层优选地足够接近光输出表面,以至少部分地影响光从该表面的提取”。
WO2009011961还提到,通过在任选的超阻挡膜上形成提取结构,可以在光提取膜产品中引入提供优异的湿气和氧阻挡性能的另外功能。超阻挡膜包括通过以下方法制成的多层膜,例如通过以多层方式在玻璃或其他适当的衬底上依次真空沉积两种无机介电材料,或无机材料和有机聚合物的交替层,如美国专利第5,440,446号、第5,877,895号和第6,010,751号中所描述的,其全部内容通过引用合并到本文中。
存在进一步改善OLED器件的提取效率的需求。
发明内容
根据本发明的第一方面,提供了一种根据权利要求1所述的有机发光器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择