[发明专利]发光器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201280016963.X 申请日: 2012-02-28
公开(公告)号: CN103460435B 公开(公告)日: 2017-03-08
发明(设计)人: 爱德华·威廉·艾伯特;C-C·范 申请(专利权)人: 荷兰应用自然科学研究组织TNO
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/00;G02B5/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 顾晋伟,全万志
地址: 荷兰*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种包括堆叠层的有机发光器件,所述堆叠层包括:

-具有发光表面(12)的电光层结构(10),

-与所述发光表面相邻的光提取结构(20),所述光提取结构具有纳米结构层(22),所述纳米结构层(22)具有第一折射率;以及

回填层(24),所述回填层包括具有第二折射率的材料,所述第二折射率与所述第一折射率相差至少0.1,其中所述回填层(24)在所述纳米结构层(22)之上形成平坦化层,

所述发光器件包括阻挡膜,所述阻挡膜包括第一无机层(22)和第二无机层(26)以及布置在所述无机层之间的有机层(24),

其特征在于,所述阻挡膜的所述无机层中最靠近所述电光层结构的无机层(22)形成所述纳米结构层,并且在所述无机层之间的所述有机层(24)形成所述回填层。

2.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中形成所述纳米结构层的所述阻挡膜的所述无机层中最靠近所述电光层结构的无机层(22)在两侧具有相互共形的纳米图案化凸纹。

3.根据权利要求1或2所述的有机发光器件,还包括在所述回填层(24)与所述电光层结构(10)之间延伸的导电结构(50),并且所述导电结构(50)电连接至所述电光层结构的电极(13),所述导电结构具有在由所述导电结构(50)所限定的平面中延伸的细长元件(51、52、53、54)。

4.根据权利要求3所述的有机发光器件,其中所述导电结构(50)布置在所述第一无机层(22)与所述电光层结构(10)之间。

5.一种用于制造有机发光器件的方法,所述方法包括形成堆叠层的以下步骤:

-设置具有主表面的临时衬底(TS),

-在所述主表面设置纳米图案化结构,

-利用共形沉积法在所述临时衬底的具有纳米图案化凸纹的所述主表面施加第一无机材料的层(22),

-在所述共形沉积的第一无机层(22)之上施加第一有机层(24),

-在所述第一有机层(24)之上施加第二无机层(26),

-移除所述临时衬底(TS),

-在堆叠件的由所述临时衬底(TS)释放的一侧施加电光层结构(10)。

6.根据权利要求5所述的方法,其中通过利用图案化沉积工艺在所述临时衬底的所述表面施加辅助有机材料来施加所述纳米图案化凸纹。

7.根据权利要求6所述的方法,其中所述图案化沉积工艺是印刷工艺。

8.根据权利要求7所述的方法,其中所述图案化沉积工艺是气相沉积工艺。

9.根据权利要求5所述的方法,其中通过压印所述临时衬底的所述主表面来形成在所述临时衬底的所述主表面的所述纳米图案化凸纹。

10.根据权利要求5所述的方法,其中通过在所述临时衬底的所述主表面沉积另外的有机层并且在所述另外的有机层中压印所述纳米图案化凸纹来形成在所述临时衬底的所述主表面的所述纳米图案化凸纹。

11.根据权利要求5所述的方法,所述方法还包括在沉积所述第一无机材料的层之前,在所述临时衬底的所述主表面沉积具有细长元件的导电结构的步骤。

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