[发明专利]感生热梯度有效
| 申请号: | 201280016742.2 | 申请日: | 2012-02-08 |
| 公开(公告)号: | CN103460382A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
| 发明(设计)人: | K·D·休梅克 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/12;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 高见 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 感生 梯度 | ||
1.一种装置,包括:
具有热传感器的第一管芯;
具有第一热传感器和第二热传感器的第二管芯,所述第二管芯在物理上紧邻所述第一管芯,而所述第一管芯的所述热传感器与所述第二管芯的所述第一热传感器对准;
与所述第二管芯上的所述第一热传感器以及所述第二管芯上的所述第二热传感器耦合的控制逻辑,所述控制逻辑用于确定所述第二管芯上的所述第一热传感器与所述第二管芯上的所述第二热传感器之间的温度差;
与所述控制逻辑和所述第一管芯上的所述热传感器耦合的管理逻辑,所述管理逻辑用于接收所述温度差以及来自所述第一管芯上的所述热传感器的温度测量,以及用于基于从所述第二管芯传达的所述温度差和来自所述第一管芯上的所述热传感器的所述温度测量来管理所述第一管芯的操作特性。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一管芯包括动态随机存取存储器(DRAM)阵列。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述管理逻辑基于所述第二管芯上的所述温度梯度以及来自所述第一管芯上的所述热传感器的所述温度测量来更改所述DRAM阵列的刷新速率。
4.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述第二管芯包括处理器核。
5.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述第二管芯包括芯片上系统(SoC)。
6.一种系统,包括:
与天线耦合的无线收发器电路;
具有热传感器的第一管芯;
具有第一热传感器和第二热传感器的第二管芯,所述第二管芯在物理上毗邻所述第一管芯,而所述第一管芯的所述热传感器与所述第二管芯的所述第一热传感器对准,所述第二管芯还与所述无线收发器电路耦合;
与所述第二管芯上的所述第一热传感器以及所述第二管芯上的所述第二热传感器耦合的控制逻辑,所述控制逻辑用于确定所述第二管芯上的所述第一热传感器与所述第二管芯上的所述第二热传感器之间的温度差;
与所述控制逻辑和所述第一管芯上的所述热传感器耦合的管理逻辑,所述管理逻辑用于接收来自所述第二管芯的所述温度差以及来自所述第一管芯上的所述热传感器的温度测量,以及用于基于所述第二管芯上的所述温度差和来自所述第一管芯上的所述热传感器的所述温度测量来管理所述第一管芯的操作特性。
7.如权利要求6所述的系统,其特征在于,所述第一管芯包括动态随机存取存储器(DRAM)阵列。
8.如权利要求7所述的系统,其特征在于,所述管理逻辑基于所述温度差以及来自所述第一管芯上的所述热传感器的所述温度测量来更改所述DRAM阵列的刷新速率。
9.如权利要求7所述的系统,其特征在于,所述第二管芯包括处理器核。
10.如权利要求7所述的系统,其特征在于,所述第二管芯包括芯片上系统(SoC)。
11.一种方法,包括:
确定第一管芯上的第一热传感器与第二热传感器之间的温度差;
将所述温度差从所述第一管芯传送到第二管芯上的电路;
确定来自所述第二管芯上的热传感器的温度;
利用所述温度差和来自所述第二管芯上的所述热传感器的所述温度来更改所述第二管芯上的一个或多个电路的操作特性。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述第二管芯包括动态随机存取存储器(DRAM)阵列。
13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述电路基于来自所述第二管芯上的所述热传感器的所述温度测量来更改所述DRAM阵列的刷新速率。
14.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述第一管芯包括处理器核。
15.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述第二管芯包括芯片上系统(SoC)。
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