[发明专利]包含超支化聚合物和金属微粒的非电解镀基底剂

权利要求书

1.一种基底剂，是用于通过非电解镀处理在基材上形成金属镀膜的基底剂，其包含分子末端具有铵基且重均分子量为500～5,000,000的超支化聚合物、和金属微粒。

2.根据权利要求1所述的基底剂，所述超支化聚合物的铵基附着于所述金属微粒而形成复合体。

3.根据权利要求1或2所述的基底剂，所述超支化聚合物为式［1］所示的超支化聚合物，

式中，R¹各自独立地表示氢原子或甲基，

R²、R³和R⁴各自独立地表示氢原子，碳原子数1～20的直链状、分支状或环状的烷基，碳原子数7～20的芳基烷基，或－(CH₂CH₂O)_mR⁵，其中，R⁵表示氢原子或甲基，m表示2～100的整数，该烷基和芳基烷基可以被烷氧基、羟基、铵基、羧基或氰基取代；或者R²、R³和R⁴中的2个基团连在一起而表示直链状、分支状或环状的亚烷基；或者R²、R³和R⁴以及它们所结合的氮原子可以连在一起而形成环，

X^-表示阴离子，

n为重复单元结构数，表示2～100,000的整数，

A¹表示式［2］所示的结构，

式中，A²表示可以包含醚键或酯键的碳原子数1～30的直链状、分支状或环状的亚烷基，Y¹、Y²、Y³和Y⁴各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的烷氧基、硝基、羟基、氨基、羧基或氰基。

4.根据权利要求3所述的基底剂，所述超支化聚合物为式［3］所示的超支化聚合物，

式中，R¹、R²和n表示与上述相同的含义。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的基底剂，所述金属微粒为选自铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、锡(Sn)、铂(Pt)和金(Au)中的至少一种微粒。

6.根据权利要求5所述的基底剂，所述金属微粒为钯微粒。

7.根据权利要求5或6所述的基底剂，所述金属微粒为具有1～100nm的平均粒径的微粒。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的基底剂，其为用于通过非电解镀处理在非导电性基材上形成金属镀膜的基底剂。

9.根据权利要求1～7中的任一项所述的基底剂，其为用于通过非电解镀处理在导电性基材上形成金属镀膜的基底剂。

10.一种非电解镀基底层，其是通过将权利要求1～9中的任一项所述的基底剂形成层而获得的。

11.一种金属镀膜，其是通过对权利要求10所述的非电解镀基底层进行非电解镀而在该基底层上形成的。

12.一种金属被膜基材，其具备：基材；在该基材上形成的权利要求10所述的非电解镀基底层；以及在该非电解镀基底层上形成的权利要求11所述的金属镀膜。

13.根据权利要求12所述的金属被膜基材，所述基材为非导电性基材。

14.根据权利要求12所述的金属被膜基材，所述基材为导电性基材。

15.一种金属被膜基材的制造方法，其包括下述A工序和B工序，

A工序：将权利要求1～9中的任一项所述的基底剂涂布在基材上，形成基底层的工序

B工序：将具备基底层的基材浸渍在非电解镀浴中，形成金属镀膜的工序。

16.根据权利要求15所述的制造方法，所述基材为非导电性基材。

17.根据权利要求15所述的制造方法，所述基材为导电性基材。