[发明专利]半导体晶片等加工用粘附带

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶片等加工用粘附带。

本申请基于2011年3月24日在日本申请的特愿2011-065515号主张优先权，在此援用其内容。

背景技术

一直以来，提出了各种在半导体晶片和封装品的切割加工中使用的半导体晶片等加工用粘附带（以下称为“切割带”）。一般而言，在切割带中，在基层上形成有粘附层，利用该粘附层将半导体晶片等固定。在粘附层中通常添加有光固化型树脂、光聚合引发剂和交联剂等，使得在半导体晶片等的切割加工后，能够容易地拾取半导体芯片。也就是说，在切割加工后，当向粘附层照射光时，这些成分固化，粘附层的粘附性降低，半导体芯片的拾取变得容易。

但是，在半导体芯片等的制造工序中，当切割带带静电时，有发生产品破坏或操作上的不良情况的问题。例如，在将隔膜从切割带剥离时、或在切割时的刀片与切割带接触时，切割带容易带静电。另外，也有在切割后将切割带从吸附带取下时、或在拾取芯片或封装时切割带带静电的情况。

因此，例如，专利文献1中公开了在基材层的一面具有粘附层、在另一面具有含有摩擦减少剂的防静电层的切割带。该切割带能够利用防静电层抑制静电。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-99984号公報

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，作为露出在外部的层的防静电层，由于与机械等接触而磨损，有可能从基材层剥离。因此，上述的切割带有可能不能稳定地抑制静电。

本发明的目的是提供能够稳定地抑制静电的半导体晶片等加工用粘附带。

用于解决技术问题的手段

（1）本发明的半导体晶片等加工用粘附带具备基层和粘附层。粘附层形成在基层上。另外，粘附层含有使该粘附层固化的固化成分。基层主要由树脂构成。树脂中混炼、分散有高分子型防静电剂。高分子型防静电剂的MFR，按照JIS K7210在190℃、21.18N的测定条件下测定时为10.0g／10min以上15.0g／10min以下。

该高分子型防静电剂被混炼在树脂中，分散在基层中。因此，即使基层与机械等接触而磨损，高分子型防静电剂也难以从基层脱落。因此，该半导体晶片等加工用粘附带能够稳定地抑制静电。另外，该高分子型防静电剂与不是高分子型的以往的防静电剂相比，表现防静电效果的分子链长。因此，该半导体晶片等加工用粘附带具有良好的防静电性能。

发现了：高分子型防静电剂的MFR的值为10.0g／10min以上的半导体晶片等加工用粘附带能够抑制加工性的降低。另外，高分子型防静电剂的MFR的值为15.0g／10min以下的半导体晶片等加工用粘附带能够抑制粘附层的粘附力的降低。

（2）在上述（1）的半导体晶片等加工用粘附带中，优选施加电压±5000V的1％衰减时间为0.15秒以内。

该半导体晶片等加工用粘附带的施加电压±5000V的1％衰减时间为0.15秒以内。所谓1％衰减时间，是指半导体晶片等加工用粘附带的电压从5000V衰减到50V所需要的时间、或者从-5000V衰减到-50V所需要的时间。该半导体晶片等加工用粘附带与以往的半导体晶片等加工用粘附带相比，衰减时间容易变短。因此，该半导体晶片等加工用粘附带能够进一步抑制静电。

（3）在上述（1）或（2）的半导体晶片等加工用粘附带中，优选高分子型防静电剂的熔点为140℃以上。

该高分子型防静电剂与以往的高分子型防静电剂相比，熔点高。利用该高分子型防静电剂，基层的熔融粘度变高，由此，基层的挤出加工性变得良好。另外，抑制低分子量成分的渗出或污染的发生。

（4）在上述（1）～（3）的半导体晶片等加工用粘附带中，优选树脂为聚丙烯与弹性体的混合物。

（5）在上述（1）～（3）的半导体晶片等加工用粘附带中，优选树脂为聚乙烯与弹性体的混合物。

（6）在上述（1）～（5）的半导体晶片等加工用粘附带中，优选相对于高分子型防静电剂，以重量比率计含有100ppm以下的阳离子和100ppm以下的阴离子。

发明效果

本发明的半导体晶片等加工用粘附带能够稳定地抑制静电。

附图说明

图1为本发明的一个实施方式的切割带的截面图。

具体实施方式

如图1所示，本发明的一个实施方式的半导体晶片等加工用粘附带（以下称为“切割带”）100主要由基层200和粘附层300构成。以下，对基层200和粘附层300分别详细地进行说明。