[发明专利]半导体晶片等加工用粘附带有效
| 申请号： | 201280014062.7 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103443227A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 石破彰浩;矶部雅俊 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本，*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 工用 粘附 | ||
1.一种半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于，具备：
基层；和
形成在所述基层上的粘附层，
所述粘附层含有使该粘附层固化的固化成分，
所述基层主要由混炼有高分子型防静电剂的树脂构成，
所述高分子型防静电剂的熔体流动速率MFR，按照JIS K7210在190℃、21.18N的测定条件下测定时为10.0g／10min以上15.0g／10min以下。
2.一种半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于，具备：
基层；和
形成在所述基层上的粘附层，
所述粘附层含有使该粘附层固化的固化成分，
所述基层主要由分散有高分子型防静电剂的树脂构成，
所述高分子型防静电剂的熔体流动速率MFR，按照JIS K7210在190℃、21.18N的测定条件下测定时为10.0g／10min以上15.0g／10min以下。
3.如权利要求1或2所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于：
施加电压±5000V的1％衰减时间为0.15秒以内。
4.如权利要求1或2所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于：
所述高分子型防静电剂的熔点为140℃以上。
5.如权利要求1或2所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于：
所述树脂为聚丙烯与弹性体的混合物。
6.如权利要求1或2所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于：
所述树脂为聚乙烯与弹性体的混合物。
7.如权利要求1或2所述的半导体晶片等加工用粘附带，其特征在于：
相对于所述高分子型防静电剂，以重量比率计含有100ppm以下的阳离子和100ppm以下的阴离子。
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