[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置及其制造方法，尤其，涉及具有高耐压的场效应晶体管的半导体装置和这样的半导体装置的制造方法。

背景技术

作为LED（Light Emitting Diode，发光二极管）的控制用IC（Integrated Circuit，集成电路）或者电源控制用IC，使用具有高耐压的场效应晶体管的半导体装置。作为这样的高耐压的场效应晶体管，说明应用于高压侧（high side）的、具有N型阱的n沟道型的场效应晶体管。

在半导体基板（P型）中从主表面到预定的深度形成N型阱，在该N型阱中，从其表面到预定的深度形成P型阱。在P型阱中，从其表面到预定的深度形成N型的源极区域。在与P型阱隔着距离的N型阱的预定的区域中，从其表面到预定的深度以包围P型阱的方式形成N型的漏极区域。在由源极区域和漏极区域夹持的P型阱的部分以及N型阱的部分的上方，介入栅极绝缘膜而形成栅极电极。

此外，在P型阱中，为了将应对用于形成沟道的栅极电极施加的阈值电压保持为一定的电压，从其表面到预定的深度形成P型的背栅极接触区域。在P型阱内，N型的源极区域和P型的背栅极接触区域沿着一个方向（栅极宽度方向）交替地配置。

在上述n沟道型的场效应晶体管中，通过对栅极电极施加预定的阈值电压以上的电压，在位于栅极电极的正下方的P型阱的部分形成沟道，从源极向漏极流过电流。另外，作为公开了高耐压的场效应晶体管的文献，例如有特开平05-267652号公报（专利文献1）、特开2008-10628号公报（专利文献2）以及特开平11-307763号公报（专利文献3）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平05-267652号公报

专利文献2:日本特开2008-10628号公报

专利文献3:日本特开平11-307763号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在现有的半导体装置中存在如下的问题点。在场效应晶体管中，为了热载流子对策和电场缓冲，以包围源极区域以及漏极区域的各自的N型的杂质区域的方式，形成具有比其N型的杂质区域的杂质浓度还低的杂质浓度的N-杂质区域。

虽然该N-杂质区域的杂质浓度比P型的背栅极接触区域的杂质浓度还低，但N-杂质区域形成至比背栅极接触区域还深的位置。因此，在P型的背栅极接触区域与P型阱的区域之间，N-杂质区域作为高电阻区域而存在。于是，存在即使对背栅极接触区域施加0V而想要将P型阱的电位固定为0V，P型阱的电位也浮动的情况。

若P型阱的电位浮动，则在对N沟道型的场效应晶体管的栅极电极施加预定的电压且对漏极电极施加了高电压时，将N型的源极区域作为发射极、将P型的背栅极接触区域作为基极、将N型的漏极区域作为集电极的寄生双极晶体管产生动作，存在漏极电流剧增而导致接合破坏的情况。

本发明是为了解决上述问题点而完成的，其目的在于，提供一种抑制由寄生双极晶体管所引起的接合破坏的半导体装置，其他的目的在于，提供一种这样的半导体装置的制造方法。

为了解决课题的手段

本发明的一实施方式的半导体装置包括具有主表面的第一导电型的半导体基板、第一导电型的第一杂质区域、第二导电型的第二杂质区域、第二导电型的第三杂质区域、第一导电型的第四杂质区域、第二导电型的第五杂质区域、电极部。第一导电型的第一杂质区域从半导体基板的主表面到预定的深度形成且具有第一杂质浓度。第二导电型的第二杂质区域以由第一杂质区域从侧方和下方包围的方式从第一杂质区域的表面到预定的深度形成且具有第二杂质浓度。第二导电型的第三杂质区域以由第二杂质区域从侧方和下方包围的方式从第二杂质区域的表面到预定的深度形成且具有比第二杂质浓度还高的第三杂质浓度。第一导电型的第四杂质区域以由第一杂质区域从侧方和下方包围的方式从第一杂质区域的表面到预定的深度形成而直接接触到第一杂质区域且具有比第一杂质浓度还高的第四杂质浓度。第二导电型的第五杂质区域以与第一杂质区域隔着距离而从半导体基板的主表面到预定的深度形成。电极部在由第二杂质区域和第五杂质区域夹持的区域的上方形成。形成多个第四杂质区域。多个第四杂质区域沿着与通过对电极部施加预定的电压而在第二杂质区域和第五杂质区域之间流过的电流的方向交叉的方向隔着间隔而配置。