[发明专利]粘合带

说明书

技术领域

本发明涉及粘合带。

背景技术

由硅、镓、砷等形成的半导体晶圆以大直径的状态制造，在表面形成图案，然后磨削背面，通常将晶圆的厚度减薄至100～600μm左右，进而切断分离(切割)为元件小片，进一步转移至安装工序。

在磨削半导体晶圆的背面的工序(背面磨削工序)中，为了保护半导体晶圆的表面(图案面)而使用粘合带。该粘合带通常在背面磨削工序后被剥离。出于这种目的而使用的粘合带需要在背面磨削工序中不剥离的水平的粘合力，另一方面，需要在背面磨削工序后可以容易地剥离且不损坏半导体晶圆的水平的低粘合力。一直以来，作为这种粘合带，可以使用在基材上涂布有粘合剂的粘合带，例如提出了一种在包含聚乙烯系树脂的基材上设有涂布丙烯酸(酯)类粘合剂而成的粘合剂层的粘合带(专利文献1)。

然而，这种现有的粘合带不能充分填补半导体晶圆图案面的凹凸，或者虽然在刚粘贴后进行了填补，但随着时间经过粘合带浮起，结果在供于背面磨削工序时还是不能充分填补图案面的凹凸。如此在不能充分填补半导体晶圆的图案面时，会产生如下的问题：磨削时施加于半导体晶圆的压力变得不均匀，半导体晶圆图案面的凹凸对背面产生影响，而产生不能平滑地磨削的问题，或者产生半导体晶圆出现裂纹的问题。在实际的工序中，粘贴有粘合带的半导体晶圆往往是在粘贴后经过规定时间之后再供于背面磨削工序，在如上所述地随着时间经过而粘合带浮起时也会产生同样的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开WO2007/116856号小册子

发明内容

发明要解决的问题

本发明是为了解决上述现有问题而做出的，其目的在于提供一种具有可以充分填补被粘物的凹凸的高度差追随性且能够经时地保持充分填补了凹凸的状态的粘合带。

用于解决问题的方案

本发明的粘合带具备粘合剂层和基材层，该粘合剂层在20℃下的储能模量为0.5×10⁶Pa～1.0×10⁸Pa，该粘合剂层在20℃～80℃下的损耗角正切tanδ为0.1以上。

在优选的实施方式中，前述粘合剂层包含使用茂金属催化剂聚合而成的非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物，该非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物的重均分子量(Mw)为200000以上，该非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物的分子量分布(Mw/Mn)为2以下。

在优选的实施方式中，对硅制半导体镜面晶圆的镜面的、JIS-Z-0237所规定的180°剥离粘合力为0.2N/20mm～3.0N/20mm。

在优选的实施方式中，本发明的粘合带是将粘合剂层形成材料和基材层形成材料共挤出成型而得到的。

发明的效果

根据本发明，可以提供一种粘合带，所述粘合带通过具备具有规定储能模量和损耗角正切tanδ的粘合剂层，从而具有可以充分填补被粘物的凹凸的高度差追随性，并且能够经时地保持充分填补了凹凸的状态。

附图说明

图1是本发明的优选实施方式的粘合带的截面示意图。

图2是说明作为本发明的粘合片的高度差追随性的指标的“浮起宽度”的图。

具体实施方式

A.粘合带的整体结构

图1是本发明的优选实施方式的粘合带的截面示意图。粘合带100具备粘合剂层10和基材层20。

粘合带100的厚度优选为25μm～500μm，进一步优选为60μm～300μm，特别优选为130μm～265μm。

粘合剂层10的厚度优选为20μm～100μm，进一步优选为30μm～65μm。

基材层20的厚度优选为5μm～400μm，进一步优选为10μm～300μm，特别优选为30μm～200μm。

本发明的粘合带还可以具备任意适当的其它层。作为其它层，例如可列举出在基材层的与粘合剂相反的一侧具备的、能够赋予粘合带耐热性的表面层。