[发明专利]延长使用期限的纹理腔室部件与制造纹理腔室部件的方法在审
申请号: | 201280013111.5 | 申请日: | 2012-04-10 |
公开(公告)号: | CN103430280A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 迈克尔·杰克逊;温德尔·G·博伊德;苏忠凯;吕鸣烨·威廉;吉富吾一;约瑟夫·F·萨默斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 延长 使用 期限 纹理 部件 制造 方法 | ||
发明背景
发明领域
本发明的实施例大体涉及处理腔室部件及用于制造所述处理腔室部件的方法。
相关技术的描述
已将处理腔室部件粗糙化以增强沉积膜的保持,进而延长必须清洁腔室部件以防止膜自腔室部件剥落且成为污染源的时间。然而,由于为了将膜保持甚至更长时间间隔的目的,已将表面粗糙化至越来越大的表面粗糙度(RA),但是粗糙化表面的尖峰具有增加的折断倾向,因此粗糙化表面的尖峰本身成为一种污染源且使许多高粗糙化表面不适合用于关键应用。
因此,存在对于改良的处理腔室部件的需要。
发明内容
本发明提供了一种处理腔室部件及制造所述处理腔室部件的方法。处理腔室部件以本文所述的方式制造且所述处理腔室部件包括在腔室部件的表面上产生至少巨观纹理。巨观纹理是由在腔室部件的表面上以预限定取向布置的多个设计特征限定。在一些实施例中,设计特征防止形成在特征之间限定的视线表面以增强沉积在腔室部件上的膜的保持。
在一个实施例中,腔室部件包括具有巨观纹理特征及微观纹理表面粗糙度的表面。在另一实施例中,一种用于制造腔室部件的方法包括以下步骤:将光刻胶掩模安置于半导体腔室部件的表面上,且经由形成于光刻胶掩模中的开口将材料自半导体腔室部件移除以形成具有离散特征的转印图案。在另一实施例中,腔室部件包括具有巨观纹理特征及微观纹理表面粗糙度的表面,其中特征具有圆边。
在另一实施例中,提供具有经图案化以增强沉积膜的保持的表面的制品,所述制品包括具有由设计特征形成的巨观纹理表面的处理腔室部件,所述设计特征经布置以防止横跨纹理表面形成视线表面。
在另一实施例中,提供具有经图案化以增强沉积膜的保持的表面的制品,所述制品包括具有由设计特征形成的巨观纹理表面的处理腔室部件,所述设计特征以防止横跨纹理表面形成视线表面的预限定图案布置,设计特征以预限定图案布置,形成纹理表面的设计特征经微观纹理化至大约100RA至大约300RA的表面光洁度。
在又一实施例中,提供一种用于制造半导体腔室部件的方法,所述方法包括以下步骤:用掩模覆盖腔室部件的表面;且自腔室部件的表面移除材料以形成限定纹理表面的多个设计特征,设计特征经布置以防止横跨纹理表面形成视线表面。
附图简单说明
因此,为使可详细理解本发明的上述特征结构,可参照实施例更特定描述上文简要概述的本发明,所述实施例中的一些实施例图示于附图中。然而,应注意,附图仅图示本发明的典型实施例,且因此不欲将附图视为本发明范围的限制,因为本发明可承认其它同等有效的实施例。
图1为本发明的一个实施例的处理腔室部件的纹理表面的部分平面图。
图2为图1的处理腔室部件的纹理表面的部分剖视图。
图3为图2的处理腔室部件的纹理表面的部分剖视图,所述纹理表面具有安置于所述纹理表面上的光刻胶掩模。
图4为光刻胶掩模的一个实施例的部分平面图。
图5为处理腔室部件的纹理表面的另一实施例的部分剖视图。
图6为图5的处理腔室部件的纹理表面的部分剖视图,所述纹理表面具有安置于所述纹理表面上的光刻胶掩模。
图7至图8为具有一或多个纹理表面的处理腔室部件的示例性实施例。
图9为本发明的另一实施例的处理腔室部件的纹理表面的俯视平面图。
图10为经由剖面线A-A获取的图9的处理腔室部件的纹理表面的剖视图。
图11为本发明的一个实施例的处理腔室部件的纹理表面的部分平面图。
图12为经由剖面线B-B获取的图11的处理腔室部件的纹理表面的部分剖视图。
图13A至图13E为图示制造顺序的不同阶段的处理腔室部件的部分剖视图,所述制造顺序用以在处理腔室部件上形成纹理表面的一个实施例。
为了促进理解,在可能情况下已使用相同元件符号以指定为诸图所共有的相同元件。亦可预期一个实施例的元件及特征可有利地并入其它实施例中而无需进一步叙述。
具体描述
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造