[发明专利]延长使用期限的纹理腔室部件与制造纹理腔室部件的方法在审
申请号: | 201280013111.5 | 申请日: | 2012-04-10 |
公开(公告)号: | CN103430280A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 迈克尔·杰克逊;温德尔·G·博伊德;苏忠凯;吕鸣烨·威廉;吉富吾一;约瑟夫·F·萨默斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 延长 使用 期限 纹理 部件 制造 方法 | ||
1.一种具有经图案化以增强沉积膜的保持的表面的制品,所述制品包含:
处理腔室部件,所述处理腔室部件具有由设计特征形成的巨观纹理表面,所述设计特征经布置以防止横跨纹理表面形成视线表面。
2.如权利要求1所述的制品,其中所述设计特征以预限定图案布置。
3.如权利要求1所述的制品,其中所述设计特征具有在大约100μm至大约200μm之间的深度。
4.如权利要求3所述的制品,其中所述设计特征具有在大约100μm至大约200μm之间的宽度。
5.如权利要求4所述的制品,其中所述设计特征具有平均宽度与深度的比率,所述比率在大约1.0:0.5至大约0.5:1.0之间。
6.如权利要求1所述的制品,其中所述设计特征由形成蜂窝图案的壁包围。
7.如权利要求1所述的制品,其中所述设计特征是紧密堆积的。
8.如权利要求1所述的制品,其中所述设计特征形成离散柱。
9.如权利要求8所述的制品,其中所述柱经布置以防止横跨纹理表面形成视线表面。
10.如权利要求1所述的制品,其中形成所述纹理表面的设计特征经微观纹理化至大约100RA至大约300RA的表面光洁度。
11.如权利要求10所述的制品,其中形成所述纹理表面的设计特征经微观纹理化至大约100RA至大约300RA的表面光洁度。
12.如权利要求1所述的制品,其中形成所述纹理表面的所述设计特征具有横跨所述纹理表面的一致形状、尺寸及分布中的至少一个。
13.一种具有经图案化以增强沉积膜的保持的表面的制品,所述制品包含:
处理腔室部件,所述处理腔室部件具有由以预限定图案布置的设计特征形成的巨观纹理表面,所述巨观纹理表面防止横跨纹理表面形成视线表面,所述设计特征以预限定图案布置,形成所述纹理表面的所述设计特征经微观纹理化至大约100RA至大约300RA的表面光洁度。
14.如权利要求13所述的制品,其中所述设计特征由形成蜂窝图案的壁包围。
15.如权利要求13所述的制品,其中所述设计特征是紧密堆积的。
16.如权利要求13所述的制品,其中所述设计特征形成离散柱。
17.如权利要求16所述的制品,其中所述柱经布置以防止横跨纹理表面形成视线表面。
18.一种用于制造半导体腔室部件的方法,所述方法包含以下步骤:
用掩模覆盖腔室部件的表面;以及
自腔室部件的所述表面移除材料以形成限定纹理表面的多个设计特征,所述设计特征经布置以防止横跨纹理表面形成视线表面。
19.如权利要求18所述的方法,其中所述掩模进一步包含:
显影区域、部分显影区域及非显影区域。
20.如权利要求19所述的方法,其中自所述腔室部件的所述表面移除材料的步骤包含以下步骤:
侵蚀所述部分显影区域以暴露与所形成的所述设计特征相邻的所述腔室部件的所述表面;以及
产生包围所述设计特征的结构的圆边。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造