[发明专利]用于制造至少一个光电子半导体器件的方法有效
| 申请号: | 201280011822.9 | 申请日: | 2012-03-02 |
| 公开(公告)号: | CN103477451A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
| 发明(设计)人: | B·哈恩;A·勒伯 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/42;H01L33/08;H01L25/075;H01L33/62;H01S5/02;H01S5/42 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;胡莉莉 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 制造 至少 一个 光电子 半导体器件 方法 | ||
1.用于制造至少一个光电子半导体器件(1000)的方法,该方法至少包括下面的方法步骤:
a)提供载体(1),该载体具有第一表面(11)和与该第一表面(11)相对置的第二表面(12);
b)在载体(1)的第一表面(11)上设置至少一个光电子半导体芯片(2),其中该光电子半导体芯片(2)用至少一个n侧区(21)和至少一个p侧区(24)构成,并且以n侧区(21)或者p侧区(24)施加在第一表面(11)上;
c)在半导体芯片(2)的外表面(23)和载体(1)的第一表面(11)的露出的部位上设置电气绝缘的包封(3);
d)部分除去电气绝缘的包封(3),其中在除去后光电子半导体芯片(2)的背离载体(1)的至少一个主面(22)至少局部地没有电气绝缘的包封(3)。
2.根据上述权利要求所述的方法,
-其中在除去电气绝缘的包封(3)后光电子半导体芯片(2)的p侧区(24)的背离载体(1)的主面(22)完全没有电气绝缘的包封(3),
-其中电气绝缘的包封(3)的除去通过均匀地削薄电气绝缘的包封(3)进行,和
-其中在下一步骤中至少在主面(22)上设置至少一个印制线路结构(4),其中该印制线路结构(4)与半导体芯片(2)直接接触并且在p侧或者n侧被导电接触。
3.根据上述权利要求之一所述的方法,
其中在除去电气绝缘的包封(3)后光电子半导体芯片(2)的p侧区(24)的背离载体(1)的主面(22)完全没有电气绝缘的包封(3)。
4.根据上述权利要求之一所述的方法,
其中电气绝缘的包封(3)的除去通过均匀地削薄电气绝缘的包封(3)进行。
5.根据上述权利要求之一所述的方法,
其中在下一步骤中至少在主面(22)上设置至少一个印制线路结构(4),其中该印制线路结构(4)在p侧或者n侧导电接触半导体芯片(2)。
6.根据上述权利要求之一所述的方法,
其中在下一步骤中在印制线路结构(4)的背离半导体芯片(2)的侧上设置至少一个器件载体(5)。
7.根据上述权利要求之一所述的方法,
其中在下一步骤中除去载体(1),其中在除去载体(1)后n侧区(21)或者p侧区(24)至少局部地露出。
8.根据上述权利要求之一所述的方法,
其中在下一步骤中在光电子半导体芯片(2)的辐射射出面(211)上设置至少一个导电的透明氧化物层(6),其中该导电的透明氧化物层(6)在n侧或者p侧导电接触半导体芯片(2)。
9.根据上述权利要求之一所述的方法,
其中载体(1)用基础元件(102)和在该基础元件(102)的外表面(101)上设置的、电气绝缘的装配元件(200)构成,其中该装配元件(200)至少局部地用塑料构成,并且光电子半导体芯片(2)设置在装配元件(200)的背离基础元件(102)的外表面(201)上。
10.根据权利要求6到9之一所述的方法,
其中器件载体(5)用电气绝缘的器件层(51)和导热的冷却体(52)构成,其中器件载体(5)以电气绝缘的器件层(51)的背离导热的冷却体(52)的外表面(53)设置在印制线路结构(4)上。
11.根据上述权利要求之一所述的方法,其中在载体(1)的第一表面(11)上设置多个光电子半导体芯片(2),其中至少两个光电子半导体芯片(2)发射不同颜色的光。
12.根据上述权利要求之一所述的方法,
其中电气绝缘的包封(3)是反射辐射的或者吸收辐射的。
13.根据上述权利要求之一所述的方法,
其中光电子半导体器件(1000)作为发射光的RGB模块构造。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280011822.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于由薄膜制造零件的方法和设备
- 下一篇:半导体器件及其制造方法





