[发明专利]静电夹具设备和光刻设备

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2011年3月11日递交的美国临时申请61/451,803的权益，该文献以引用的方式整体并入本文。

技术领域

本发明涉及一种光刻设备，并且具体地涉及用在光刻设备上的静电夹具设备。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。

光刻技术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻技术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻技术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。

图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：

CD=k1*λNA---(1)]]>

其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于过程的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道，特征的最小可印刷尺寸减小可以由三种途径获得：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长，并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在5-20nm范围内(例如在13-14nm范围内)的电磁辐射。还已经提出，可以使用波长小于10nm的EUV辐射，例如在5-10nm范围内，例如6.7nm或6.8nm。这种辐射被称为极紫外辐射或软x射线辐射。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。

可以使用等离子体产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器和用于容纳等离子体的源收集器模块。例如可以通过引导激光束至诸如合适材料(例如锡)的颗粒或合适气体或蒸汽(例如氙气或锂蒸汽)的流等燃料来产生等离子体。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器收集。辐射收集器可以是反射镜式正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦成束。源收集器模块可以包括包围结构或腔，布置用以提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常被称为激光产生的等离子体(LPP)源。

EUV掩模或掩模版必须夹持在静电卡盘上。在突节和掩模版背侧之间被俘获的μm尺寸级别的颗粒的存在会导致掩模版的变形(在平面内或脱出平面)，这会使重叠变差。计算表明，该背侧上的μm尺寸的颗粒会导致前侧上的nm级别高度的变形，这又导致足以让工具超出规范的重叠误差。

实际上，在背侧上可以有许多颗粒，但是其中仅少数(或没有)可以必要地导致在前侧上产生问题的足够大的变形(实际上，颗粒可以被挤压或压碎，而不是导致变形)。此外，能够测量由于其他来源(例如温度)带来的前侧变形(不平坦度)是有益的。

直到目前，没有作出解决这些问题的合适的解决方案，很大程度上是由于前侧掩模版表面被图案化有任意的图案而传统的水平传感器在平坦的表面上工作的原因。

发明内容

期望提供一种设备，其可以用以识别和/或测量掩模版或掩模中的这种变形。

根据本发明的一方面，提供一种静电夹具设备，其构造用于支撑光刻设备的图案形成装置，静电夹具设备包括支撑所述图案形成装置所抵靠的支撑结构、用于在支撑结构和图案形成装置之间提供夹持力的夹持电极以及能够操作以测量所述图案形成装置的形状的电容传感器的阵列。

附图说明