[发明专利]用于光电子结构的载体和具有这种载体的光电子半导体芯片

权利要求书

1.一种用于光电子结构（2）的载体（1），所述载体具有

-基体（11），尤其是电绝缘的基体，

-在所述基体（11）的下侧（11b）上的至少一个n型侧的连接部位（13），

-在所述基体（11）的下侧（11b）上的至少一个p型侧的连接部位（12），

-在所述基体（11）的与下侧（11b）对置的上侧（11a）上的结构化的导电层（14），以及

-在结构化的所述导电层（14）的背离所述基体（11）的一侧上的结构化的且导电的载体侧的连接剂层（15），其中

-结构化的所述导电层（14）在第一区域（14a）中导电地与所述n型侧的连接部位（13）连接，

-结构化的所述导电层（14）在第二区域（14b）中导电地与所述p型侧的连接部位（12）连接，

-所述导电层（14）的所述第一区域（14a）和所述第二区域（14b）彼此电绝缘，

-载体侧的所述连接剂层（15）部分地与所述导电层（14）直接接触，以及

-在所述导电层（14）和载体侧的所述连接剂层（15）之间部分地设置有电绝缘的钝化材料（16）。

2.根据上一项权利要求所述的载体，

其中所述钝化材料（16）部分地设置在所述导电层（14）和载体侧的所述连接剂层（15）之间，其中所述钝化材料（16）与所述导电层（14）和所述连接剂层（15）直接接触，其中存在载体侧的所述连接剂层（15）的下述至少一个区域：在所述至少一个区域中，载体侧的所述连接剂层（15）仅机械地与所述导电层（14）连接，其中机械连接由电绝缘的所述钝化材料（16）实现并且在所述至少一个区域中在载体侧的所述连接剂层（15）和所述导电层（14）之间不存在导电的接触部。

3.根据上一项权利要求所述的载体，

其中所述钝化材料（16）仅在所述第一区域（14a）中与所述导电层（14）直接接触。

4.根据上述权利要求之一所述的载体，

其中所述连接部位（12，13）分别借助于至少一个通孔（17）与所述导电层（14）导电地连接，其中所述通孔（17）穿过所述基体（11）从所述基体（11）的下侧（11b）延伸至上侧（11a）。

5.根据上述权利要求之一所述的载体，

其中所述基体（11）由硅和/或陶瓷材料构成。

6.一种光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片具有

-根据上述权利要求之一所述的载体（1）以及

-光电子结构（2），所述光电子结构（2）借助于载体侧的所述连接剂层导电地且机械地与所述载体连接。

7.根据上一项权利要求所述的光电子半导体芯片，

其中所述光电子结构（2）包括下述部件：

-具有有源区域（21c）的半导体层序列（21），

-镜层（22），所述镜层（22）设为用于反射在所述有源区域（21c）中产生的电磁辐射并且与所述半导体层序列（21）的p型侧（21a）导电地连接，以及

-至少一个结构侧的通孔（27），所述通孔（27）导电地接触所述半导体层序列的n型侧（21b）并且从所述p型侧（21a）穿过所述有源区域（21c）延伸至所述n型侧（21b）。

8.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片具有

-结构化且导电的结构侧的连接剂层（25），所述连接剂层（25）与载体侧的所述连接剂层（15）直接接触，其中两个所述连接剂层（15，25）机械固定地彼此连接。

9.根据上一项权利要求所述的光电子半导体芯片，

其中

-结构侧的所述连接剂层（25）具有至少一个p区域（25a），所述p区域（25a）导电地与所述p型侧的连接部位（12）连接，以及

-结构侧的所述连接剂层（25）具有至少一个n区域（25b），所述n区域（25b）导电地与所述n型侧的连接部位（13）连接，其中

-结构侧的所述连接剂层（25）的所述n区域（25b）和所述镜层（22）不相互重叠。