[发明专利]低折射率膜形成用组合物、低折射率膜的形成方法以及通过该形成方法而形成的低折射率膜以及抗反射膜有效

专利信息
申请号: 201280010918.3 申请日: 2012-02-27
公开(公告)号: CN103403112A 公开(公告)日: 2013-11-20
发明(设计)人: 尾崎祐树 申请(专利权)人: AZ电子材料IP(日本)株式会社
主分类号: C09D183/16 分类号: C09D183/16;B32B27/00;C08G77/62;C09D1/00;C09D7/12;G02B1/11
代理公司: 北京三幸商标专利事务所 11216 代理人: 刘激扬
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 折射率 形成 组合 方法 以及 通过 反射
【权利要求书】:

1.一种低折射率膜形成用组合物,其特征在于,其包含:(A)无机聚硅氮烷;以及(B)从含硅氮烷的有机聚合物、含硅氧硅氮烷的有机聚合物、含脲硅氮烷的有机聚合物中选出的至少一种有机聚合物,(A):(B)的重量比为40:60~17:83。

2.根据权利要求1所述的低折射率膜形成用组合物,其特征在于,所述有机聚合物具有从烷基、烯基、环烷基、芳基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、烷氧基、以及由下述通式(I)表示的基团中选出的至少一种有机基团,

[化学式1]

式中,L1与有机聚合物的Si结合,L1以及L2各自独立地表示-CH2-、-NR5-(R5表示氢原子、C1~C4的烃基)、-O-、-S-、-OC(=O)-(氧结合在Si这一侧),但也可没有L2,R6、R7各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、环烷基、芳基,P1、P2各自独立地为0~4的整数,P3为0~3的整数。

3.根据权利要求2所述的低折射率膜形成用组合物,其特征在于,所述含硅氮烷的有机聚合物是含有由下述通式(II)表示的硅氮烷的有机聚合物,

[化学式2]

式中,R1表示由上述通式(I)表示的基团,R2、R3、R4各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、环烷基、芳基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、烷氧基,m、n表示结构体的摩尔比,m:n=50:50~1:99。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的低折射率膜形成用组合物,其特征在于,其进一步包含溶剂。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的低折射率膜形成用组合物,其特征在于,其进一步包含催化剂。

6.一种低折射率膜的形成方法,其特征在于,将权利要求4或5所述的低折射率膜形成用组合物涂布于基材上,将该低折射率膜形成用组合物进行转化。

7.一种低折射率膜,其特征在于,其通过权利要求6所述的方法而形成。

8.一种抗反射膜,其特征在于,其包含权利要求7所述的低折射率膜。

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