[发明专利]用于发光二极管（LED）发光的部件和方法

权利要求书

1.一种光发射器器件部件，该封装包括：

本体，所述本体具有顶部表面，所述顶部表面具有总表面积，所述顶部表面包括一个或者多个内壁，所述一个或者多个内壁限定了具有凹部开口的凹部；

一个或者多个光发射器器件，安装在所述凹部的下表面上；并且

其中，所述本体的所述顶部表面包括保留在所述凹部开口外部的面积，并且其中保留的所述面积小于或者等于所述总表面积的0.25或者25%的阈值比。

2.根据权利要求1所述的光发射器器件部件，其中，所述阈值比包括所述总表面积的0.21至0.25的范围。

3.根据权利要求1所述的光发射器器件部件，其中，所述光发射器器件包括发光二极管（LED）芯片。

4.根据权利要求1所述的光发射器器件部件，其中，所述本体包括低温共烧陶瓷（LTCC）材料。

5.根据权利要求4所述的光发射器器件部件，其中，所述本体包括正方形。

6.根据权利要求5所述的光发射器器件部件，其中，限定所述凹部的内壁包括均匀的厚度。

7.根据权利要求4所述的光发射器器件部件，其中，所述LTCC材料包括掩埋的导热过孔和导电过孔。

8.根据权利要求7所述的光发射器器件部件，其中，所述掩埋的导热过孔和导电过孔包括银金属。

9.根据权利要求7所述的光发射器器件部件，其中，所述导热过孔和导电过孔被掩埋在所述LTCC材料内并且设置在第一图形导电层与第二图形导电层之间，使得所述第一图形导电层和所述第二图形导电层通过所述导热过孔和所述导电过孔电连接和热连接。

10.根据权利要求1所述的光发射器器件部件，其中，限定所述凹部的内壁朝向所述凹部的所述下表面逐渐地倾斜。

11.根据权利要求1所述的光发射器器件部件，其中，所述一个或者多个光发射器器件通过所述一个或者多个光发射器器件与所述凹部的所述下表面之间的至少一个或者多个插入层间接地安装在所述凹部的所述下表面上。

12.根据权利要求1所述的光发射器器件部件，其中，所述一个或者多个光发射器器件直接安装在所述凹部的所述下表面上而没有任何插入层。

13.一种光发射器器件部件，该封装包括：

本体，所述本体具有顶部表面，所述顶部表面具有位于其中的内壁，所述内壁限定了凹部；

第一导电图形，所述第一导电图形包括设置在所述凹部中、并且沉积在所述本体的第一表面上的热元件以及第一电元件和第二电元件；

一个或者多个发光二极管（LED）芯片，电连接到所述第一电元件和所述第二电元件；

至少一个导热过孔和至少一个导电过孔，将所述第一导电图形连接到所述第二导电图形；并且

其中，设置在所述本体的所述第一表面上的所述第一导电图形大体上与位于所述本体的第二表面上的所述第二导电图形对准，并且其中所述本体的所述第二表面与所述第一表面相对。

14.根据权利要求13所述的光发射器器件部件，其中，所述至少一个导热过孔和所述至少一个导电过孔包括相互邻近地掩埋在所述本体内的银过孔。

15.根据权利要求13所述的光发射器器件部件，其中，所述内壁限定了凹部，所述凹部具有所述顶部表面的位于所述凹部开口外部的保留面积，并且所述保留面积等于或者小于所述顶部表面的总表面积的一阈值比。

16.根据权利要求15所述的光发射器器件部件，其中，所述顶部表面的所述保留面积的所述阈值比小于或者等于所述总表面积的0.25或者25%。

17.根据权利要求13所述的光发射器器件部件，其中，所述本体包括低温共烧陶瓷（LTCC）材料。

18.根据权利要求17所述的光发射器器件部件，其中，LTCC材料包括具有0.3至0.5重量百分比玻璃粉的氧化铝（Al₂O₃）。