[发明专利]具有变暗的多层导体迹线的图案化基底

权利要求书

1.一种制品，包含：

具有相对的第一表面和第二表面的基底；以及

设置在所述基底的所述第一表面上的导体微图案，所述导体微图案包含界定多个单元的多条迹线，

其中所述导体微图案具有大于80%的开放区域比率以及均匀的迹线取向分布；并且所述迹线中的每一条各自具有0.5微米至10微米的迹线宽度，并且

其中所述导体微图案是三层材料，所述三层材料依次包含半反射性金属、透明层以及反射层。注：本人期望此项权利要求不受限于所述三层结构相对于所述基底的取向。本人所提及的段落可隐含特定的取向（例如，该取向可以与从属权利要求12到14不一致）。

2.根据权利要求1所述的制品，其中所述半反射性材料选自：钛、铬、铝、镍、铜、金、钼、铂、铑、银、钨、钴、铁、锗、铪、钯、铼、钒、硅、硒、钽、钇、锆，以及它们的组合和合金。

3.根据权利要求1所述的制品，其中所述透明的材料选自：丙烯酸类聚合物、SiO₂、Al₂O₃、ZrO₂、TiO₂、HfO₂、Sc₂O₃、La₂O₃、ThO₂、Y₂O₃、CeO₂、MgO、Ta₂O₅以及它们的组合。

4.根据权利要求1所述的制品，其中所述反射层选自：金、银、钯、铂、铝、铜、钼、镍、锡、钨，合金以及它们的组合。

5.根据权利要求1所述的制品，其中所述导体微图案迹线中的每一条各自具有小于1厘米的曲率半径。

6.根据权利要求1所述的制品，其中所述微图案的所述均匀的迹线取向分布具有的每两度箱的测量频率的标准偏差小于三。

7.根据权利要求1所述的制品，其中所述导体微图案具有非重复的单元几何形状。

8.根据权利要求1所述的制品，其中所述导体微图案所具有的单元并非位于位点的重复阵列上。

9.根据权利要求1所述的制品，其中迹线在垂直入射角度上并且在朝向所述基底的所述第一表面取向的方向上具有小于20%的镜面反射率。

10.根据权利要求1所述的制品，其中所述迹线在垂直入射角度上并且在朝向所述基底的所述第一表面取向的方向上具有小于10%的镜面反射率。

11.根据权利要求1所述的制品，其中所述迹线在垂直入射角度上并且在朝向所述基底的所述第一表面取向的方向上具有小于50%的镜面反射率。

12.根据权利要求1所述的制品，其中所述迹线在垂直入射角度上并且在远离所述基底的所述第一表面取向的方向上具有小于20%的镜面反射率。

13.根据权利要求1所述的制品，其中所述迹线在垂直入射角度上并且在远离所述基底的所述第一表面取向的方向上具有小于10%的镜面反射率。

14.根据权利要求1所述的制品，其中所述迹线在垂直入射角度上并且在远离所述基底的所述第一表面取向的方向上具有小于50%的镜面反射率。

15.一种制备导体微图案的方法，包含如下步骤：

提供具有相对的第一表面和第二表面的基底；

在所述基底的所述第一表面上依次沉积包含半反射性材料、透明材料和不透明的反射性金属的导体层；

使用弹性压模在所述导体层上印刷自组装单层微图案，所述自组装单层微图案由界定多个开放区域单元的多条迹线形成，其中所述导体微图案具有大于80%的开放区域比率以及均匀的迹线取向分布，并且所述迹线中的每一条各自具有0.5微米至10微米的宽度；

对未被所述自组装单层微图案覆盖的导体进行蚀刻。