[发明专利]用于处理基片的设备和方法有效
申请号: | 201280004525.1 | 申请日: | 2012-01-05 |
公开(公告)号: | CN103380493A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 金京英 | 申请(专利权)人: | 伊雷克托科学工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/687;B65G49/07 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 设备 方法 | ||
1.一种用于端部操纵器的抓取机构,所述端部操纵器包括:操纵器主体,其具有第一端部、与所述第一端部相对的第二端部和在所述第一和第二端部之间延伸的近侧,所述端部操纵器可操作以处理放置在与所述近侧相邻的保留区域内的物体,所述抓取机构包括:
抓取构件,其被配置以被耦合至所述操纵器主体且包括抓取器,其中所述抓取构件可远离所述第一端部沿第一方向朝向所述第二端部移动,并且其中所述抓取构件的第一部分可基于所述抓取构件在所述第一方向上的移动而沿着第一行进路径相对于所述操纵器主体移动;和
抓取导引件,其可操作地耦合至所述抓取构件,其中所述抓取导引件被配置以基于所述抓取构件在所述第一方向上的移动而引导所述抓取构件的第二部分沿着第二行进路径移动,
其中所述抓取构件和抓取导引件被配置成使得所述抓取器可基于所述第一和第二部分沿着所述第一和第二行进路径的移动而沿着第一接合路径移动至第一接合位置,所述第一接合路径远离所述操纵器主体的所述近侧并朝向所述保留区域延伸,且
其中,在所述第一接合位置,所述抓取器被配置以与放置在所述保留区域内的物体接合。
2.根据权利要求1所述的抓取机构,其中所述抓取构件的第一部分不可相对于所述抓取构件的所述第二部分移动。
3.根据权利要求1所述的抓取机构,其中所述抓取构件和抓取导引件被配置成使得所述抓取器可相对于所述操纵器主体平移。
4.根据权利要求3所述的抓取机构,其中所述抓取构件和抓取导引件被配置成使得所述抓取器可相对于所述操纵器主体旋转。
5.根据权利要求1所述的抓取机构,其中所述抓取构件和抓取导引件被配置成使得所述抓取器可相对于所述操纵器主体旋转。
6.根据权利要求5所述的抓取机构,其中所述抓取器可围绕旋转轴相对于所述操纵器主体旋转,所述旋转轴被布置在相对于所述第一方向成大于0度且小于180度的角度处,所述抓取构件可沿所述第一方向移动。
7.根据权利要求1所述的抓取机构,其中所述第一行进路径的至少一部分与所述第二行进路径的至少一部分不平行。
8.根据权利要求1所述的抓取机构,其中所述第一行进路径的至少一部分与所述第二行进路径的至少一部分平行。
9.根据权利要求1所述的抓取机构,其中所述第一行进路径和所述第二行进路径中的至少一个包括线性部分。
10.根据权利要求9所述的抓取机构,其中所述第二行进路径包括沿着不同方向延伸的至少两个线性部分。
11.根据权利要求1所述的抓取机构,其中所述第一行进路径和所述第二行进路径中的至少一个包括弯曲部分。
12.根据权利要求1所述的抓取机构,其中所述抓取导引件包括:
第一支撑轨道,其被配置以被耦合至所述操纵器主体;
第一沟槽,其形成于所述第一支撑轨道中;和
第一销,其被耦合至所述抓取构件的所述第二部分且可滑动地被接纳在所述第一沟槽内。
13.根据权利要求12所述的抓取机构,其中所述抓取导引件包括:
第二支撑轨道,其与所述第一支撑轨道间隔开;和
第三沟槽,其形成于所述第二支撑轨道中,
其中所述导引构件被放置在所述第二支撑轨道与所述第一支撑轨道之间,并且其中所述第一销可滑动地被接纳在所述第三沟槽内。
14.根据权利要求12所述的抓取机构,其中所述抓取导引件进一步包括:
第二沟槽,其形成于所述第一支撑轨道中;和
第二销,其被耦合至所述抓取构件的所述第一部分且可滑动地被接纳在所述第二沟槽内。
15.根据权利要求1所述的抓取机构,其中所述抓取构件和抓取导引件被配置成使得所述抓取器可基于所述第一和第二部分沿着所述第一和第二行进路径的移动而沿着第二接合路径移动至第二接合位置,所述第二接合路径远离所述第一接合位置且朝向所述操纵器主体的所述近侧延伸。
16.根据权利要求1所述的抓取机构,其中:
其中所述抓取构件可远离所述第二端部沿第二方向朝向所述第一端部移动,且
所述抓取器被配置以基于所述抓取构件在所述第二方向上的移动而脱离放置在所述保留区域内的被接合的物体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造