[发明专利]半导体装置的制造方法无效

申请号：	201280004168.9	申请日：	2012-01-23
公开（公告）号：	CN103262225A	公开（公告）日：	2013-08-21
发明（设计）人：	神林宏;寺本章伸;大见忠弘	申请（专利权）人：	先进动力设备技术研究协会;国立大学法人东北大学
主分类号：	H01L21/338	分类号：	H01L21/338;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/308;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇;李茂家
地址：	日本神***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	半导体装置制造方法
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【说明书】：

技术领域

本发明有关半导体装置的制造方法。

背景技术

作为半导体表面的预处理，以前，是通过湿法工艺处理氮化镓(GaN)系半导体表面，进行除去杂质(比如，参照非专利文献1)。另外，有用ICP氧化GaN系半导体的表面后，将氧化后的部分用氢氟酸除去的方案(比如，参照非专利文献2)。

非专利文献1

W.Huang,ISPSD2008,May2008,p.295

非专利文献2

Ji-Myon Lee,et.al.,Removal of dry etch damage in p-type GaN by wet etching of sacrificial oxide layer,Journal of Vacuum Science and Technology B,American Vacuum Society,Mar.2004,Vol.22,pp.479-482

发明内容

发明要解决的问题

可是，因为GaN系的半导体稳定，所以用湿法工艺不能充分地对GaN蚀刻。因此，通过湿法工艺去除半导体表面的杂质不充分。同时，为了容易地进行蚀刻，用ICP氧化半导体表面的话，则电感耦合等离子体因为电子温度高，高能的离子撞上半导体，半导体受到损坏。即使用氢氟酸除去氧化的部分，在半导体上也残留损坏。

因此，在本发明的1个侧面中，以提供能解决上述课题的半导体装置的制造方法为目的。该目的通过权利要求的独立项记载的特征的组合达成。另外，从属权利要求规定了本发明的更有利的具体例。

用于解决问题的方案

为了解决上述课题，在本发明的第1方式中提供半导体装置的制造方法，具有如下工序：第1牺牲层形成工序，形成与第1半导体层的至少一部分接触、第1半导体层中所包含的杂质的固溶度比第1半导体层高的第1牺牲层；退火工序，对第1牺牲层及第1半导体层进行退火；除去工序，用湿法工艺除去第1牺牲层；在除去工序之后，形成覆盖第1半导体层的至少一部分的绝缘层形成工序，及对第1半导体层的一部分进行蚀刻的蚀刻工序的至少一个工序；以及电极形成工序，形成与第1半导体层电性地连接的电极层。

在本发明的第2方式中，提供GaN系半导体装置，其具有第1半导体层和，第1半导体层的一部分被除去的凹进部和，形成在第1半导体层之下、由GaN系半导体形成的第2半导体层；在凹进部中的、第2半导体层的凹进面存在的卤素是3atom%以下。

在本发明的第3方式中，提供制造GaN系半导体装置的半导体装置的制造方法，具有形成由GaN系半导体形成的第1半导体层的第1半导体层形成工序和，用溴系气体通过微波等离子工艺对第1半导体层的一部分进行干式蚀刻形成凹进部的凹进部形成工序。

另外，上述的发明概要并未列举出本发明的必要特征的全部，而这些特征群的子组合也能够成为发明。

附图说明

【图1】是本发明的半导体装置的剖面图。

【图2A】表示图1所表示的第1实施方式涉及的半导体装置的、第1实施方式涉及的制造方法。

【图2B】表示图1所表示的第1实施方式涉及的半导体装置的、第1实施方式涉及的制造方法。

【图2C】表示图1所表示的第1实施方式涉及的半导体装置的、第1实施方式涉及的制造方法。

【图3】是微波等离子装置的剖面图。

【图4】是用第1实施方式涉及的制造方法制造的半导体装置的表面的AFM像。

【图5】是比较例的半导体装置的表面的AFM像。

【图6A】表示图1所示的第1实施方式涉及的半导体装置的、第2实施方式的制造方法。