[发明专利]半导体装置的制造方法无效

申请号：	201280004168.9	申请日：	2012-01-23
公开（公告）号：	CN103262225A	公开（公告）日：	2013-08-21
发明（设计）人：	神林宏;寺本章伸;大见忠弘	申请（专利权）人：	先进动力设备技术研究协会;国立大学法人东北大学
主分类号：	H01L21/338	分类号：	H01L21/338;H01L21/28;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/308;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇;李茂家
地址：	日本神***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	半导体装置制造方法
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【权利要求书】：

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于具有：

第1牺牲层形成工序，形成与第1半导体层的至少一部分接触、所述第1半导体层中所包含的杂质的固溶度比所述第1半导体层高的第1牺牲层；

退火工序，对所述第1牺牲层及所述第1半导体层进行退火；

除去工序，用湿法工艺除去所述第1牺牲层；

在所述除去工序之后，形成覆盖所述第1半导体层的至少一部分的绝缘层的绝缘层形成工序，和对所述第1半导体层的一部分进行蚀刻的蚀刻工序的至少一个工序；以及

电极形成工序，形成与所述第1半导体层电性地连接的电极层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第1半导体层由III-V族化合物半导体形成。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第1半导体层由氮化镓系半导体形成。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述电极形成工序中形成源极电极及漏极电极。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的半导体装置的制造方法，其中还具有，

在所述牺牲层形成工序之前，形成第2半导体层，在所述第2半导体层上形成所述第1半导体层的半导体层形成工序，以及，

在所述蚀刻工序中，所述蚀刻露出所述第2半导体层。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中还具有，

第2牺牲层形成工序，形成与通过蚀刻工序露出的所述第2半导体层接触、所述第2半导体层中所包含的杂质的固溶度比所述第2半导体层高的第2牺牲层；以及

对所述第2牺牲层及所述第2半导体层进行退火，此后，通过湿法工艺除去所述第2牺牲层的第2牺牲层处理工序。

7.根据权利要求1至4任意一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述绝缘层形成工序和所述电极形成工序之间，还具有用于除去所述绝缘层的一部分的绝缘层除去工序。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述第2牺牲层处理工序之后，还具有用绝缘层覆盖所述第2半导体层的绝缘层形成工序。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述绝缘层是栅极绝缘膜。

10.根据权利要求3至9任意一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第1牺牲层在500℃以下形成。

11.根据权利要求3至10任意一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第1牺牲层，是由SiO_X(0<X≦2)，AlO_X(0<X≦1.5)，SiN_X(0<X≦4/3)，GaO_X(0<X≦1.5)，HfO_X(0<X≦2)，GdO_X(0<X≦1.5)，MgO_X(0<X≦1)，ScO_X(0<X≦1.5)，ZrO_X(0<X≦2)，TaO_X(0≦X≦2.5)，TiO_X(0≦X≦2)，NiO_X(0≦X≦1.5)，以及V的任意一个以上形成的。