[发明专利]合成非晶态二氧化硅粉末及其制造方法有效
申请号: | 201280004018.8 | 申请日: | 2012-02-29 |
公开(公告)号: | CN103249674A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 植田稔晃 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | C01B33/18 | 分类号: | C01B33/18;C03B20/00 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 合成 晶态 二氧化硅 粉末 及其 制造 方法 | ||
1.一种合成非晶态二氧化硅粉末,是对造粒的二氧化硅粉末实施球化处理后,清洗并干燥而得到的平均粒径D50为10~2000μm的合成非晶态二氧化硅粉末,
BET比表面积除以由平均粒径D50计算出的理论比表面积得到的值超过1.35且1.75以下,真密度为2.10~2.20g/cm3,粒子内孔隙率为0~0.05,圆形度为0.50以上0.75以下以及和未熔解率大于0.25且0.60以下。
2.根据权利要求1所述的合成非晶态二氧化硅粉末,是对所述造粒的二氧化硅粉末进行烧结后,实施所述球化处理的合成非晶态二氧化硅粉末,
满足碳浓度小于2ppm或氯浓度小于2ppm中的任意一者或该两者。
3.根据权利要求2所述的合成非晶态二氧化硅粉末,所述造粒的二氧化硅粉末是通过使四氯化硅水解而生成二氧化硅质的凝胶,干燥该二氧化硅质的凝胶而成为干燥粉,粉碎该干燥粉后,进行分级而得到的二氧化硅粉末,
碳浓度小于2ppm。
4.根据权利要求2所述的合成非晶态二氧化硅粉末,所述造粒的二氧化硅粉末是通过使有机系硅化合物水解而生成二氧化硅质的凝胶,干燥该二氧化硅质的凝胶而成为干燥粉,粉碎该干燥粉后,进行分级而得到的二氧化硅粉末,
氯浓度小于2ppm。
5.根据权利要求2所述的合成非晶态二氧化硅粉末,所述造粒的二氧化硅粉末是通过使用气相二氧化硅生成二氧化硅质的凝胶,干燥二氧化硅质的凝胶而成为干燥粉,粉碎该干燥粉后,进行分级而得到的二氧化硅粉末,
碳浓度小于2ppm,氯浓度小于2ppm。
6.一种合成非晶态二氧化硅粉末的制造方法,其特征在于,按顺序包括:
造粒工序,生成二氧化硅质的凝胶,干燥该二氧化硅质的凝胶而成为干燥粉,粉碎该干燥粉后,进行分级,由此得到二氧化硅粉末;
利用热等离子体的球化工序,在以预定的流量导入氩气并以预定的高频输出功率产生等离子体的等离子体炬内,以预定的供给速度投入所述造粒工序中所得到的二氧化硅粉末,在从2000℃至二氧化硅的沸点的温度加热并熔融;
清洗工序,去除附着于所述球化工序后的球化二氧化硅粉末表面上的微粉;和
干燥工序,干燥所述清洗工序后的二氧化硅粉末,
将所述球化工序中的氩气的流量调整为50L/min以上、且在高频输出功率设为A、二氧化硅粉末的供给速度设为B时,以A/B的值为3.0×103以上且小于1.0×104的方式调整后进行,其中,高频输出功率的单位为W,二氧化硅粉末的供给速度的单位为kg/hr,A/B的单位为W·kg/hr,
得到平均粒径D50为10~2000μm、BET比表面积除以由平均粒径D50计算出的理论比表面积得到的值超过1.35且1.75以下、真密度为2.10~2.20g/cm3、粒子内孔隙率为0~0.05、圆形度为0.50以上0.75以下以及未熔解率大于0.25且0.60以下的合成非晶态二氧化硅粉末。
7.根据权利要求6所述的合成非晶态二氧化硅粉末的制造方法,所述造粒工序为使四氯化硅水解而生成二氧化硅质的凝胶,干燥该二氧化硅质的凝胶而成为干燥粉,粉碎该干燥粉后,进行分级,由此得到平均粒径D50为10~3000μm的二氧化硅粉末的工序。
8.根据权利要求6所述的合成非晶态二氧化硅粉末的制造方法,所述造粒工序为使有机系硅化合物水解而生成二氧化硅质的凝胶,干燥该二氧化硅质的凝胶而成为干燥粉,粉碎该干燥粉后,进行分级,由此得到平均粒径D50为10~3000μm的二氧化硅粉末的工序。
9.根据权利要求6所述的合成非晶态二氧化硅粉末的制造方法,所述造粒工序为使用气相二氧化硅生成二氧化硅质的凝胶,干燥该二氧化硅质的凝胶而成为干燥粉,粉碎该干燥粉后,进行分级,由此得到平均粒径D50为10~3000μm的二氧化硅粉末的工序。
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