[实用新型]一种多电源IC芯片封装件有效
申请号: | 201220737221.3 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN203026496U | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 慕蔚;刘殿龙;李习周 | 申请(专利权)人: | 天水华天科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人: | 李琪 |
地址: | 741000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电源 ic 芯片 封装 | ||
技术领域
本实用新型属于电子信息自动化元器件制造技术领域,涉及一种IC芯片集成电路封装件,特别涉及一种多电源IC芯片封装件。
背景技术
全球能源需求的不断增长以及环境保护意识的逐步提升使得高效节能产品成为市场发展的新趋势。为此,电源/稳压器管理芯片、MOSFET等功率器件越来越多地应用到整机产品中。
未来几年,中国电源管理芯片市场的发展速度仍将高于全球市场,其复合增长率仍将高于20%。由于电源管理芯片市场的增长速度快于功率分立器件市场,使得电源管理芯片市场在功率器件市场中所占比重逐步提升,2011年电源管理芯片销售额占整体市场的46.2%。但随着市场发展不断成熟,中国电源管理芯片市场的发展速度缓慢接近全球电源管理芯片市场的发展速度是一种必然趋势。
常规的单集成电路电源,由于制造工艺不同,各自有独特的性能,如:双极性工艺使用NPN和PNP双极型晶体管作为有源元件;CMOS(互补MOS)工艺只包含P沟道(P阱)、N沟道(N阱)及多晶硅绝缘极,制造低电压器件;BC工艺包含有双极型和CMOS元件,制造高精度参考电压器件;DNMOS工艺、DMOS(双扩散MOS)晶体管是针对大电流、高电压而设计的;BCD工艺将双极型、CMOS和DMOS元件联合在一起,可以制造出具有不同电压等级的元件。但上述各种工艺制造的不同功能的单集成电路电源都存在功率容量和电压有限的缺陷。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种多电源IC芯片封装件,不仅高效节能,而且具有较高的功率容量和较高的电压等级,解决了现有技术中存在的问题。
为实现上述目的,本实用新型所采用的技术方案是:一种多电源IC芯片封装件,包括多引脚载体的引线框架,该引线框架上设有多个载体,该多个载体组成数量相同的两个载体组,一个载体组中的载体与另一个载体组中的载体形成一一对应,每个载体上均粘接有数量相同的IC芯片,所有的IC芯片通过键合线相连接,形成串联结构或者并联结构。具体为:
每个载体上均粘接有一块IC芯片,所有的IC芯片通过键合线依次相连接形成串联结构。
或者,每个载体上均粘接有一块IC芯片,一个载体组中的载体上粘接的IC芯片通过第三键合线依次串联,该一个载体组中的每个载体上粘接的IC芯片分别通过第一键合线与和该载体相对应设置的另一个载体组中的载体上粘接的IC芯片相连接。
或者,每个载体上均粘接有两块IC芯片,所有的IC芯片通过键合线依次相连接形成串联结构。
或者,每个载体上均粘接有两块IC芯片,两个载体组中相对应设置的两个载体中、一个载体上的两块IC芯片通过两根第四键合线分别与另一个载体上的两块IC芯片相连接,且该两根第四键合线不相交,两个载体组中相对应设置的两个载体中、一个载体上朝向另一个载体的所有IC芯片通过第七键合线串接。
本实用新型多电源IC芯片封装件采用多芯片二次集成电路封装,将多种不同工艺的电源元件二次集成封装在同一个电路中,不仅可以提高电源的功率容量,还可提高电压电流等级,可以是串联组合,也可以是并联组合,各有特点。既能满足同一系统中不同组件(单元)的供电需要,有能满足不同电器的供电需要,扩大使用范围。
附图说明
图1是本实用新型多电源IC芯片封装件中采用的多引脚载体的示意图。
图2是本实用新型多电源IC芯片封装件中单芯片串联结构封装件的示意图。
图3是本实用新型多电源IC芯片封装件中单芯片并联结构封装件的示意图。
图4是本实用新型多电源IC芯片封装件中双芯片串联结构封装件的示意图。
图5是本实用新型多电源IC芯片封装件中双芯片并联结构封装件的示意图。
图6是本实用新型多电源IC芯片封装件中并联结构的同一芯片上的三重压焊结构图。
图中:1.引脚,2.载体,3.第一IC芯片,4.第一键合线,5.第二键合线,6.第三键合线,7.第二IC芯片,8.第四键合线,9.第五键合线,10.第六键合线,11.第七键合线。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行详细说明。
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