[实用新型]一种转接型卡托

说明书

技术领域

本实用新型涉及SIM卡领域，尤其涉及一种转接型卡托。

背景技术

SIM卡的卡基由PVC或ABS塑料材料组成，卡基上面是镶有金属薄片的SIM卡接触面，其上有6个或8个管脚。SIM卡接触面下面是芯片，通过金箔丝与管脚相连，不过这在制造好的SIM卡外表看不出来。

2FF卡（Second Form Factor SIM）长25毫米，宽15毫米，是目前大量使用的传统SIM卡的物理形态，是应用于普通手机的标准SIM卡。

3FF卡（Third form factor SIM）长为15毫米，宽为12毫米，应用于iPhone4或iPhone4S手机的Micro SIM卡。

4FF卡（Fourth form factor SIM）又称Nano SIM，长为12.3mm，宽为8.8mm，它是比3FF更小的下一代SIM卡产品，目前应用于iPhone5手机，它将是未来智能手机的应用趋势。

因4FF卡与3FF卡、2FF卡尺寸规格不同，4FF卡无法在普通手机、iPhone4或iPhone4S手机上使用，3FF卡也不能用在普通手机上，导致SIM卡的通用性较差，使用不方便。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种转接型卡托，能够克服由于SIM卡的尺寸规格不同，导致SIM卡的通用性差的技术问题。

为了解决该技术问题，本实用新型采用的技术方案如下：

一种转接型卡托，包括模小卡和形成于所述模小卡内的卡槽，其中，所述卡槽的尺寸与待转接卡的尺寸相适配，使所述卡托翻转时，位于所述卡槽内的所述待转接卡不会脱离所述卡槽。

进一步地，所述所述卡槽的尺寸与待转接卡的尺寸相适配具体为：所述卡槽的长度与所述待转接卡的长度相等，所述卡槽的宽度与所述待转接卡的宽度相等。

进一步地，所述卡托与所述待转接卡的芯片触点的高度差为-0.05~0.1mm。

进一步地，所述卡托采用铣切方法或注塑方法在卡基上制作。

进一步地，所述铣切方法包括有缝铣切方法和无缝铣切方法。

进一步地，采用所述无缝铣切方法制作时，所述卡托与所述卡基之间存在压痕。

进一步地，采用所述有缝铣切方法或所述注塑方法制作时，所述卡托与所述卡基之间存在若干条连接部位，所述连接部位上存在压痕。

本实用新型提供的转接型卡托，其上的卡槽用于放置待转接卡。当将待转接卡置入卡托的卡槽内，这样装有待转接卡的卡托相当于与该卡托相同尺寸规格的SIM卡。因此，采用本实用新型提供的转接型卡托，可以将具有较小尺寸的SIM卡用在只能使用大尺寸SIM的手机上，提高了不同尺寸规格的卡的通用性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其它的附图。

图1是本实用新型的卡托的正视图；

图2是本实用新型的卡托的侧视图；

图3是本实用新型的卡托与卡基无缝连接的示意图；

图4本实用新型的卡托与卡基有缝连接的示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

欧洲电信标准协会（ETSI）已在其官网上公布了下一代4FF Nano-SIM卡的设计标准，其尺寸为：宽度为12,3mm±0.1mm，高度为8.8mm±0.1mm，厚度为0.67mm+0.03mm或0.67-0.07mm。可见，4FF卡的尺寸比2FF卡或3FF卡的尺寸小，导致4FF卡不能用在普通手机或iPhone4或iPhone4S上。