[实用新型]用于进行电平移位的装置和具有该装置的系统有效
申请号: | 201220716504.X | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN203537367U | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | G·施罗姆;R·S·文农 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 进行 电平 移位 装置 具有 系统 | ||
技术领域
本实用新型的实施例总体上涉及电平移位器领域。更具体地,本实用新型的实施例涉及一种用于对输入信号进行高压电平移位的装置、一种用于应用所述装置的系统,和一种用于高压电平移位的方法。
背景技术
电平移位器电路可以使得不同电路部件能够在不同电源电压下运行。在不同逻辑电压范围中运行用于通过为特定电路部件提供特定电压范围,来增大设备可靠性、减小功耗,并降低过量的热量产生。通过将特定部件限制在特定的运行电压,可以更容易地控制功耗和热量产生,并可以增大设备可靠性。利用不同逻辑电压也存在相当大的问题,因为用于一个数字逻辑部件的数字高或低对于另一个数字逻辑部件可以具有不同的电压值。因此,会难以甚至无法使具有不同电压的部件一起运行。电平移位器电路可以充当在不同逻辑设备部件之间的接口(或者电压变换器或转换器),用于将一个部件的电压电平移位到第二个部件的适当电平,以确保两个部件的电压电平之间的足够的一致性。
传统的高压电平移位器遭受到由在它们将数字逻辑信号从一个电源电平转变为另一个电源电平时的消弧电流(crowbar current)所造成的高功耗。传统的高电压电平移位器也不能从一个电源电平电平移位到一个或多个电源电平,以使得多个电源彼此去耦。
实用新型内容
以下内容介绍本实用新型的实施例的简要概述,以便提供对实施例的一些方面的基本理解。该概述不是对实施例的广泛综述。其并非旨在标识实施例的关键或主要元素,也非旨在描写实施例的范围。其唯一目的是以简要的形式介绍本发明的实施例的一些概念,作为对下面介绍的更详细的描述的前序。在一个实施例中,一种用于进行电平移位的装置的特征是,该装置包括:输入驱动器,包括第一信号调节单元,所述输入驱动器运行在第一电源电平上,并用于存储输入信号,所述输入信号作为所述第一信号调节单元中的第一信号;以及用于接收所述第一信号并至少部分基于所述第一信号提供第二信号的电路,所述第二信号被从所述第一电源电平电平移位到第二电源电平。
在一个实施例中,该装置进一步包括:输出驱动器,包括第二信号调节单元,所述输出驱动器用于接收所述第二信号,并用于将所述第二信号调节为第三信号,所述输出驱动器运行在所述第二电源电平上,并用于驱动出所述第三信号。在一个实施例中,所述第一信号调节单元包括置位-复位(SR)触发器。在一个实施例中,所述第二信号调节单元包括置位-复位(SR)触发器。
在一个实施例中,所述电路包括:共源共栅级;以及交叉耦合级,耦合到所述共源共栅级。在一个实施例中,所述交叉耦合级包括:第一P晶体管和第二P晶体管,具有耦合到具有所述第二电源电平的节点的相应源极端子。在一个实施例中,所述交叉耦合级包括:第三P晶体管和第四P晶体管,分别并联耦合到所述第一P晶体管和所述第二P晶体管,其中,所述第三P晶体管和所述第四P晶体管具有耦合到具有所述第二电源电平的节点的相应栅极端子。
在一个实施例中,所述第一P晶体管和所述第二P晶体管的所述漏极端子用于提供所述第二信号。在一个实施例中,所述第一P晶体管的栅极端子耦合到所述第二P晶体管的所述漏极端子。在一个实施例中,所述第二P晶体管的栅极端子耦合到所述第一P晶体管的所述漏极端子。在一个实施例中,所述共源共栅级包括:第五P晶体管,与所述第一P晶体管串联耦合;第一N晶体管,与所述第五P晶体管串联耦合;以及第二N晶体管,与所述第一N晶体管串联耦合。在一个实施例中,所述第五P晶体管的栅极端子耦合到具有第三电源电平的节点。在一个实施例中,所述第一N晶体管的栅极端子耦合到具有第四电源电平的节点。在一个实施例中,所述第二N晶体管的栅极端子耦合到具有所述第一电源电平的节点。在一个实施例中,所述第二N晶体管的源极端子用于接收所述第一信号。
在一个实施例中,该装置进一步包括第一电容器,所述第一电容器耦合在所述第二N晶体管的源极端子与所述第一P晶体管的端子之间。在一个实施例中,具有所述第一电源电平和第三和第四电源电平的节点是分离的节点。在一个实施例中,所述共源共栅级包括:第六P晶体管,与所述第二P晶体管串联耦合;第三N晶体管,与所述第六P晶体管串联耦合;以及第四N晶体管,与所述第三N晶体管串联耦合。
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