[实用新型]用于进行电平移位的装置和具有该装置的系统有效
申请号: | 201220716504.X | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN203537367U | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | G·施罗姆;R·S·文农 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 进行 电平 移位 装置 具有 系统 | ||
1.一种用于进行电平移位的装置,其特征在于,所述装置包括:
输入驱动器,包括第一信号调节单元,所述输入驱动器运行在第一电源电平上,并用于存储输入信号,所述输入信号作为所述第一信号调节单元中的第一信号;以及
用于接收所述第一信号并至少部分基于所述第一信号提供第二信号的电路,所述第二信号被从所述第一电源电平电平移位到第二电源电平。
2.根据权利要求1所述的装置,进一步包括:
输出驱动器,包括第二信号调节单元,所述输出驱动器用于接收所述第二信号,并用于将所述第二信号调节为第三信号,所述输出驱动器运行在所述第二电源电平上,并用于驱动出所述第三信号。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述第一信号调节单元包括置位-复位(SR)触发器。
4.根据权利要求2所述的装置,其中,所述第二信号调节单元包括置位-复位(SR)触发器。
5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述电路包括:
共源共栅级;以及
交叉耦合级,耦合到所述共源共栅级。
6.根据权利要求5所述的装置,其中,所述交叉耦合级包括:
第一P晶体管和第二P晶体管,具有耦合到具有所述第二电源电平的节点的相应源极端子。
7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述交叉耦合级包括:
第三P晶体管和第四P晶体管,分别并联耦合到所述第一P晶体管和 所述第二P晶体管,其中,所述第三P晶体管和所述第四P晶体管具有耦合到具有所述第二电源电平的节点的相应栅极端子。
8.根据权利要求6所述的装置,其中,所述第一P晶体管和所述第二P晶体管的所述漏极端子用于提供所述第二信号。
9.根据权利要求6所述的装置,其中,所述第一P晶体管的栅极端子耦合到所述第二P晶体管的所述漏极端子。
10.根据权利要求6所述的装置,其中,所述第二P晶体管的栅极端子耦合到所述第一P晶体管的所述漏极端子。
11.根据权利要求6所述的装置,其中,所述共源共栅级包括:
第五P晶体管,与所述第一P晶体管串联耦合;
第一N晶体管,与所述第五P晶体管串联耦合;以及
第二N晶体管,与所述第一N晶体管串联耦合。
12.根据权利要求11所述的装置,其中,所述第五P晶体管的栅极端子耦合到具有第三电源电平的节点。
13.根据权利要求6所述的装置,其中,所述第一N晶体管的栅极端子耦合到具有第四电源电平的节点。
14.根据权利要求6所述的装置,其中,所述第二N晶体管的栅极端子耦合到具有所述第一电源电平的节点。
15.根据权利要求6所述的装置,其中,所述第二N晶体管的源极端子用于接收所述第一信号。
16.根据权利要求6所述的装置,进一步包括第一电容器,所述第一 电容器耦合在所述第二N晶体管的源极端子与所述第一P晶体管的端子之间。
17.根据权利要求1所述的装置,其中,具有所述第一电源电平和第三和第四电源电平的节点是分离的节点。
18.根据权利要求6所述的装置,其中,所述共源共栅级包括:
第六P晶体管,与所述第二P晶体管串联耦合;
第三N晶体管,与所述第六P晶体管串联耦合;以及
第四N晶体管,与所述第三N晶体管串联耦合。
19.根据权利要求18所述的装置,其中,所述第六P晶体管的栅极端子耦合到具有第三电源电平的节点。
20.根据权利要求18所述的装置,其中,所述第三N晶体管的栅极端子耦合到具有第四电源电平的节点。
21.根据权利要求18所述的装置,其中,所述第四N晶体管的栅极端子耦合到具有所述第一电源电平的节点。
22.根据权利要求18所述的装置,其中,所述第四N晶体管的源极端子用于接收所述第一信号。
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