[实用新型]采用泵浦式紫外光源的微电子及精密器件清洗系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及精密加工领域，具体涉及紫外超精密清洗领域。

背景技术

紫外光波长比可见光短，但比X射线长的电磁辐射。紫外光在电磁波谱中范围波长为10-400 nm。这范围内开始于可见光的短波极限，而与长波X 射线的波长相重叠。紫外光被划分为A 射线、B 射线和C 射线(简称UVA、UVB 和UVC)，波长范围分别为400-315nm，315-280nm，280-190nm。

近年，由于大功率超高功率低气压UV放电管开发的进展，以及随着微电子等产品的超微细化，在微电子、超精密器件等产品的制造过程中，由短波长紫外线及其产生的臭氧对其产品的表面进行超精密清洗或改善其表面的接着性、附着性的干式光表面处理技术的实用化进展得很快。现在，需要提高成品率的半导体器件、液晶表示元件、光学制品等制造中，紫外线UV和O3臭氧并用的干式光表面处理技术已成不可缺少的技术手段。作为氟里昂的替代技术，光表面清洗技术将逐渐取代湿式的传统技术。

但是所应用的紫外光源仍然存在光强弱、功耗高、故障率低等不足。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种采用泵浦式紫外光源的微电子及精密器件清洗系统，解决以上技术问题。

本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：

采用泵浦式紫外光源的微电子及精密器件清洗系统包括一清洗腔、一清洗执行系统，所述清洗执行系统连接一紫外光源，以及一控制系统，其特征在于：

所述紫外光源采用一电子束激发紫外光源，所述电子束激发紫外光源包括一电致发光半导体机构，还包括一激励源，所述激励源采用一电子枪系统；

所述电致发光半导体机构设置在所述电子枪系统的靶向方向上，所述电致发光半导体机构连接一电极；

所述电子束激发紫外光源还设有一用于透射出紫外线的出光口。

通过将传统的精密器件清洗系统中的紫外光源替换为新型的电子束激发紫外光源，减小设备体积、降低功耗并且提高了特定波段紫外光的纯度。电子束激发紫外光源通过电子束为电致发光半导体机构提供电流，并通过所述电极形成电流回路。

所述出光口朝向所述清洗腔。以便进行精密清洗。

所述出光口处设有一电动调光机构，所述电动调光机构连接所述控制系统。以便通过控制系统调整光强、焦点等光学参数。

所述电致发光半导体机构生成在一反光金属层上，并所述反光金属层连接所述电极。所发出的紫外光线经过反射后从出光口射出。

或者，所述电致发光半导体机构生成在一导电透明基片上，并将所述导电透明基片连接所述电极。所发出的紫外线经过所述导电透明基片透射后，从所述出光口射出。

所述电致发光半导体机构包含至少两层层叠的电致发光半导体层，构成半导体发光结构。

这些电致发光半导体层的材料可以是晶格匹配的，也可以是晶格不匹配的。这些电致发光半导体层可以是有应变的，也可以是没有应变的。

相邻的两层所述电致发光半导体层为禁带宽度不同的电致发光半导体层，从而在新组成的材料的能带结构上形成单势能阱或是多势能阱的结构。以便于提高转换效率和调控光的波长。这些势能阱结构有利于约束半导体导带和价带上的载流子于特定的能量状态上，从而达到提高转换效率的目的。

所述半导体发光结构包括至少两种不同材质的所述电致发光半导体层，且包含至少三层所述电致发光半导体层，相邻的两层所述电致发光半导体层为不同材质的所述电致发光半导体层。

具体的可以为：所述半导体发光结构包括两种不同材质的所述电致发光半导体层，且包含至少三层所述电致发光半导体层，相邻的两层所述电致发光半导体层为不同材质的所述电致发光半导体层，即，两种材质的所述电致发光半导体层交替排列构成层叠式结构。

每层所述电致发光半导体层的厚度在1纳米到50纳米。

至少两层所述电致发光半导体层层叠构成所述半导体发光结构，所述半导体发光结构的厚度大于等于10nm。厚度也可以根据波段和功率的需要来具体设计。

所述电致发光半导体机构依次为第一限制层、至少两层所述电致发光半导体层、第二限制层，以及所述反光金属层，所述反光金属层上设有反光层；所述反光层的反射方向朝向所述出光口；所述第一限制层朝向所述电子枪方向。光线穿过透光的出光口发射到外界。

所述电致发光半导体机构还可以是一半导体紫外激光谐振腔，所述半导体紫外激光谐振腔内设有半导体结构，所述半导体结构生成在所述衬底上，所述衬上设有一层高禁带半导体层，所述高禁带半导体层上生长有另一层禁带宽度不同的高禁带半导体层。