[实用新型]采用泵浦式紫外光源的微电子及精密器件清洗系统

权利要求书

1.采用泵浦式紫外光源的微电子及精密器件清洗系统包括一清洗腔、一清洗执行系统，所述清洗执行系统连接一紫外光源，以及一控制系统，其特征在于：

所述紫外光源采用一电子束激发紫外光源，所述电子束激发紫外光源包括一电致发光半导体机构，还包括一激励源，所述激励源采用一电子枪系统；

所述电致发光半导体机构设置在所述电子枪系统的靶向方向上，所述电致发光半导体机构连接一电极；

所述电子束激发紫外光源还设有一用于透射出紫外线的出光口。

2.根据权利要求1所述的采用泵浦式紫外光源的微电子及精密器件清洗系统，其特征在于：所述出光口朝向所述清洗腔。

3.根据权利要求1或2所述的采用泵浦式紫外光源的微电子及精密器件清洗系统，其特征在于：所述出光口处设有一电动调光机构，所述电动调光机构连接所述控制系统。

4.根据权利要求1所述的采用泵浦式紫外光源的微电子及精密器件清洗系统，其特征在于：所述电致发光半导体机构生成在一反光金属层上，并所述反光金属层连接所述电极。

5.根据权利要求1所述的采用泵浦式紫外光源的微电子及精密器件清洗系统，其特征在于：所述电致发光半导体机构生成在一导电透明基片上，并将所述导电透明基片连接所述电极。

6.根据权利要求1、2、4或5所述的采用泵浦式紫外光源的微电子及精密器件清洗系统，其特征在于：所述电致发光半导体机构包含至少两层层叠的电致发光半导体层，构成半导体发光结构。

7.根据权利要求6所述的采用泵浦式紫外光源的微电子及精密器件清洗系统，其特征在于：所述半导体发光结构包括至少两种不同材质的所述电致发光半导体层，且包含至少三层所述电致发光半导体层，相邻的两层所述电致发光半导体层为不同材质的所述电致发光半导体层。

8.根据权利要求1、2、4或5所述的采用泵浦式紫外光源的微电子及精密器件清洗系统，其特征在于：所述电致发光半导体机构是一半导体紫外激光谐振腔。

9.根据权利要求8所述的采用泵浦式紫外光源的微电子及精密器件清洗系统，其特征在于：所述半导体紫外激光谐振腔内设有半导体结构，所述半导体结构生成在所述衬底上，所述衬上设有一层高禁带半导体层，所述高禁带半导体层上生长有另一层禁带宽度不同的高禁带半导体层。

10.根据权利要求1、2、4或5所述的采用泵浦式紫外光源的微电子及精密器件清洗系统，其特征在于：所述电子枪系统包括一真空腔室，自所述真空腔室一端向另一端依次排布有电子枪、电学控制机构、电磁聚焦机构、电磁偏转扫描机构、电致发光半导体机构、出光口；

所述衬底下方设有一散热底座，所述散热底座连接一循环冷却系统，所述循环冷却系统包括散热管、热交换系统、冷却液，所述散热管埋设在所述散热底座内；所述冷却液设置在所述散热管内，所述热交换系统连接所述散热管的入口和出口。