[实用新型]摩托车用可控硅可靠性测试电路有效

专利信息
申请号: 201220706241.4 申请日: 2012-12-19
公开(公告)号: CN203012084U 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 陈东勤 申请(专利权)人: 无锡创立达科技有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人: 曹祖良
地址: 214142 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 摩托车 可控硅 可靠性 测试 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种电路结构,尤其是一种摩托车用可控硅可靠性测试电路,属于可控硅测试的技术领域。

背景技术

摩托车用可控硅的可靠性测试,是需要进行通电动态测试,模拟摩托车运行时可控硅的工作状态。现有的测试方法是在磁电机上进行测试,磁电机的构成主要有电动机,励磁线圈,突台,高压包,电控系统,点火模块。电动机的功率2500W,能耗高。同时励磁线圈高速旋转,转速高达10000转/分钟,噪声大,且容易松动脱落,造成安全隐患。整个磁电机的体积也大,占用场地大。磁电机的成本高。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种摩托车用可控硅可靠性测试电路,其节能环保,操作简单方便,测试成本低,适应范围广,安全可靠。

按照本实用新型提供的技术方案,所述摩托车用可控硅可靠性测试电路,包括调压器,所述调压器的第一输出端与第三开关的一端及第一二极管的阳极端连接,第一二极管的阴极端通过第一电容与高压包的第一初级端连接,高压包的第二初级端与调压器的第二输出端连接;高压包第一初级端及第二初级端的两端分别与第一开关的两端连接,第一电容的两端分别与第二开关的两端连接;第三开关的另一端与变压器初级线圈的第一端连接,变压器初级线圈的第二端与调压器的第二输出端及高压包的第二初级端连接;变压器次级线圈的第一端与第二二极管的阳极端连接,第二二极管的阴极端与第一电阻的一端连接,第一电阻的另一端通过第二电阻接地。

所述第一二极管的阳极端通过熔断器与调压器的第一输出端连接。

所述第一二极管的阴极端与待测可控硅的阳极端连接,待测可控硅的阴极端与调压器的第二输出端连接;待测可控硅的控制端与第一电阻的另一端连接。

所述熔断器的熔断电流为5A。所述第一二极管采用正向额定电流为5A,额定反向耐压为1000V的二极管。

所述第二二极管采用正向额定电流为1A,额定反向耐压为1000V的二极管。

所述第一电阻的阻值为680Ω,第二电阻的阻值为1000Ω。所述待测可控硅的阳极端、阴极端分别与示波器连接。

本实用新型的优点:通过220V市电整流后给第一电容充电,由第一电容储存能量,由变压器降压后整流、并由第一电阻及第二电阻分压后提供触发脉冲,模拟摩托车运行状态实现待测可控硅的动态可靠性测试,整个电路的消耗功率220W,节能超过90%,整个测试都是通过电子方式实现,无高速的机械运动部件,安全性高,无噪声,操作简单,成本低。

附图说明

    图1为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

如图1所示:为了方便快捷地对摩托车用可控硅进行可靠性测试,本实用新型包括调压器I1,所述调压器I1的第一输出端与第三开关K0的一端及第一二极管D1的阳极端连接,第一二极管D1的阴极端通过第一电容C1与高压包G1的第一初级端连接,高压包G1的第二初级端与调压器I1的第二输出端连接;高压包G1第一初级端及第二初级端的两端分别与第一开关K1的两端连接,第一电容C1的两端分别与第二开关K2的两端连接;第三开关K0的另一端与变压器T1初级线圈的第一端连接,变压器T1初级线圈的第二端与调压器I1的第二输出端及高压包G1的第二初级端连接;变压器T1次级线圈的第一端与第二二极管D2的阳极端连接,第二二极管D2的阴极端与第一电阻R1的一端连接,第一电阻R1的另一端通过第二电阻R2接地。

具体地,当对待测可控硅SCR进行测试时,所述第一二极管D1的阴极端与待测可控硅SCR的阳极端连接,待测可控硅SCR的阴极端与调压器I1的第二输出端连接;待测可控硅SCR的控制端与第一电阻R1的另一端连接。待测可控硅SCR的阳极端及阴极端分别与示波器S1连接,以通过示波器S1来显示待测可控硅SCR测试时的波形变化。高压包G1次极端的两端悬空,高压包G1次极端能通过击穿空气进行放电。变压器T1次级线圈的第二端与变压器T1初级线圈的第二端电连接。

所述第一二极管D1的阳极端通过熔断器F1与调压器I1的第一输出端连接。所述熔断器F1的熔断电流为5A。所述第一二极管D1采用正向额定电流为5A,额定反向耐压为1000V的二极管。所述第二二极管D2采用正向额定电流为1A,额定反向耐压为1000V的二极管。所述第一电阻R1的阻值为680Ω,第二电阻R2的阻值为1000Ω。第一电容C1的电容值为1.5μF。

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